A linha de produtos da VET Energy não se limita a wafers de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato de SiC, wafer SOI, substrato de SiN, wafer Epi, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outras áreas.
Campos de aplicação:
•Circuitos integrados:Como material básico para a fabricação de circuitos integrados, os wafers de silício tipo P são amplamente utilizados em vários circuitos lógicos, memórias, etc.
•Dispositivos de energia:Wafers de silício tipo P podem ser usados para fazer dispositivos de energia, como transistores de potência e diodos.
•Sensores:Os wafers de silício do tipo P podem ser usados para fazer vários tipos de sensores, como sensores de pressão, sensores de temperatura, etc.
•Células solares:As pastilhas de silício do tipo P são um componente importante das células solares.
A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafers, podendo personalizá-los com diferentes resistividades, diferentes teores de oxigênio, diferentes espessuras e outras especificações, de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também oferecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados no processo de produção.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformação(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Borda de Wafer | Chanfradura | ||||
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabamento de superfície | Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosidade da superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chips de Borda | Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm) | ||||
| Recuos | Nenhum permitido | ||||
| Arranhões (Si-Face) | Qtd.≤5,Acumulativo | Qtd.≤5,Acumulativo | Qtd.≤5,Acumulativo | ||
| Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
| Exclusão de Borda | 3 mm | ||||
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