Wafer de silício tipo P de 6 polegadas

Descrição curta:

O wafer de silício tipo P de 6 polegadas da VET Energy é um material base semicondutor de alta qualidade, amplamente utilizado na fabricação de diversos dispositivos eletrônicos. A VET Energy utiliza o avançado processo de crescimento CZ para garantir que o wafer tenha excelente qualidade cristalina, baixa densidade de defeitos e alta uniformidade.


Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

A linha de produtos da VET Energy não se limita a wafers de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato de SiC, wafer SOI, substrato de SiN, wafer Epi, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outras áreas.

Campos de aplicação:
Circuitos integrados:Como material básico para a fabricação de circuitos integrados, os wafers de silício tipo P são amplamente utilizados em vários circuitos lógicos, memórias, etc.
Dispositivos de energia:Wafers de silício tipo P podem ser usados ​​para fazer dispositivos de energia, como transistores de potência e diodos.
Sensores:Os wafers de silício do tipo P podem ser usados ​​para fazer vários tipos de sensores, como sensores de pressão, sensores de temperatura, etc.
Células solares:As pastilhas de silício do tipo P são um componente importante das células solares.

A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafers, podendo personalizá-los com diferentes resistividades, diferentes teores de oxigênio, diferentes espessuras e outras especificações, de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também oferecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados no processo de produção.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformação(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de Wafer

Chanfradura

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Chips de Borda

Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de Borda

3 mm

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