La línea de productos de VET Energy no se limita a obleas de silicio. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, incluyendo sustratos de SiC, obleas de SOI, sustratos de SiN, obleas de Epi, etc., así como nuevos materiales semiconductores de banda ancha, como el óxido de galio (Ga₂O₃) y las obleas de AlN. Estos productos satisfacen las necesidades de aplicaciones de diversos clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores y otros campos.
Campos de aplicación:
•Circuitos integrados:Como material básico para la fabricación de circuitos integrados, las obleas de silicio tipo P se utilizan ampliamente en diversos circuitos lógicos, memorias, etc.
•Dispositivos de potencia:Las obleas de silicio tipo P se pueden utilizar para fabricar dispositivos de potencia como transistores y diodos de potencia.
•Sensores:Las obleas de silicio tipo P se pueden utilizar para fabricar varios tipos de sensores, como sensores de presión, sensores de temperatura, etc.
•Células solares:Las obleas de silicio tipo P son un componente importante de las células solares.
VET Energy ofrece soluciones de obleas personalizadas, con diferentes resistividades, contenido de oxígeno, espesores y otras especificaciones, según las necesidades específicas del cliente. Además, ofrecemos soporte técnico profesional y servicio posventa para ayudar a los clientes a resolver diversos problemas durante el proceso de producción.
ESPECIFICACIONES DE OBLEAS
*n-Pm=grado Pm tipo n,n-Ps=grado Ps tipo n,Sl=semiaislante
| Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
| notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
| Valor absoluto de Bow(GF3YFCD) | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25μm | ≤15 μm | |
| Deformación(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Borde de oblea | Biselado | ||||
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=grado Pm tipo n,n-Ps=grado Ps tipo n,Sl=semiaislante
| Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
| notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabado de la superficie | Pulido óptico de doble cara, cara de silicio CMP | ||||
| Rugosidad de la superficie | (10 um x 10 um) Cara de silicio Ra≤0,2 nm | (5umx5um) Cara de silicio Ra≤0,2 nm | |||
| Fichas de borde | No se permite ninguno (largo y ancho ≥0,5 mm) | ||||
| Sangrías | No se permite ninguno | ||||
| Arañazos (Si-Face) | Cantidad ≤ 5, acumulada | Cantidad ≤ 5, acumulada | Cantidad ≤ 5, acumulada | ||
| Grietas | No se permite ninguno | ||||
| Exclusión de bordes | 3 mm | ||||
-
Barco de grafito solar para Pecvd
-
Rotor de grafito para bomba de vacío
-
Pila de combustible de hidrógeno de 100 kW refrigerada por agua para...
-
Generador de drones Pem de celda de combustible de hidrógeno...
-
Dron de combustible de hidrógeno de bajo costo Sofc hidrógeno gene...
-
Consumibles para equipos semiconductores, cer...