VET Energyの製品ラインはシリコンウェーハにとどまりません。SiC基板、SOIウェーハ、SiN基板、エピウェーハなど、幅広い半導体基板材料に加え、酸化ガリウム(Ga2O3)やAlNウェーハといった新しいワイドバンドギャップ半導体材料も提供しています。これらの製品は、パワーエレクトロニクス、無線周波数、センサーなどの分野におけるさまざまなお客様のアプリケーションニーズにお応えします。
応用分野:
•集積回路:P型シリコンウェハは、集積回路製造の基本材料として、さまざまな論理回路、メモリなどに広く使用されています。
•電源デバイス:P 型シリコン ウェハーは、パワー トランジスタやダイオードなどのパワー デバイスの製造に使用できます。
•センサー:P 型シリコン ウェハーは、圧力センサー、温度センサーなど、さまざまなタイプのセンサーの製造に使用できます。
•太陽電池:P 型シリコン ウェハーは太陽電池の重要な構成要素です。
VET Energyは、お客様のニーズに合わせてカスタマイズされたウェーハソリューションを提供しており、抵抗率、酸素含有量、厚さなどの仕様が異なるウェーハをカスタマイズできます。さらに、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供し、生産プロセスで発生するさまざまな問題の解決を支援します。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
| アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
| nP | n-午後 | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| ボウ(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | 2μm未満 | ||||
| ウェーハエッジ | 面取り | ||||
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
| アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
| nP | n-午後 | n-Ps | SI | SI | |
| 表面仕上げ | 両面光学研磨、Si面CMP | ||||
| 表面粗さ | (10um x 10um) Si面Ra≤0.2nm | (5umx5um) Si面Ra≤0.2nm | |||
| エッジチップ | なし 許可なし(長さと幅≥0.5mm) | ||||
| インデント | 許可なし | ||||
| 傷(Si面) | 数量≤5、累計 | 数量≤5、累計 | 数量≤5、累計 | ||
| ひび割れ | 許可なし | ||||
| エッジ除外 | 3mm | ||||





