6インチP型シリコンウエハ

簡単な説明:

VET Energyの6インチP型シリコンウェーハは、高品質の半導体ベース材料であり、様々な電子機器の製造に広く使用されています。VET Energyは、高度なCZ成長プロセスを採用することで、優れた結晶品質、低欠陥密度、高い均一性を備えたウェーハを実現しています。


製品詳細

製品タグ

VET Energyの製品ラインはシリコンウェーハにとどまりません。SiC基板、SOIウェーハ、SiN基板、エピウェーハなど、幅広い半導体基板材料に加え、酸化ガリウム(Ga2O3)やAlNウェーハといった新しいワイドバンドギャップ半導体材料も提供しています。これらの製品は、パワーエレクトロニクス、無線周波数、センサーなどの分野におけるさまざまなお客様のアプリケーションニーズにお応えします。

応用分野:
集積回路:P型シリコンウェハは、集積回路製造の基本材料として、さまざまな論理回路、メモリなどに広く使用されています。
電源デバイス:P 型シリコン ウェハーは、パワー トランジスタやダイオードなどのパワー デバイスの製造に使用できます。
センサー:P 型シリコン ウェハーは、圧力センサー、温度センサーなど、さまざまなタイプのセンサーの製造に使用できます。
太陽電池:P 型シリコン ウェハーは太陽電池の重要な構成要素です。

VET Energyは、お客様のニーズに合わせてカスタマイズされたウェーハソリューションを提供しており、抵抗率、酸素含有量、厚さなどの仕様が異なるウェーハをカスタマイズできます。さらに、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供し、生産プロセスで発生するさまざまな問題の解決を支援します。

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ウェーハ仕様

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

ボウ(GF3YFCD)-絶対値

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ワープ(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

2μm未満

ウェーハエッジ

面取り

表面仕上げ

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-Ps

SI

SI

表面仕上げ

両面光学研磨、Si面CMP

表面粗さ

(10um x 10um) Si面Ra≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

(5umx5um) Si面Ra≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

エッジチップ

なし 許可なし(長さと幅≥0.5mm)

インデント

許可なし

傷(Si面)

数量≤5、累計
長さ≤0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累計
長さ≤0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累計
長さ≤0.5×ウェーハ直径

ひび割れ

許可なし

エッジ除外

3mm

技術_1_2_サイズ
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