6 pous P Kalite Silisyòm Wafer

Deskripsyon kout:

Wafer silikon 6 pous tip P VET Energy a se yon materyèl baz semi-kondiktè kalite siperyè, ki lajman itilize nan fabrikasyon divès aparèy elektwonik. VET Energy itilize yon pwosesis kwasans CZ avanse pou asire ke wafer la gen yon kalite kristal ekselan, yon dansite domaj ki ba ak yon inifòmite ki wo.

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Liy pwodwi VET Energy a pa limite a wafer Silisyòm sèlman. Nou ofri tou yon pakèt materyèl substrat semi-kondiktè, tankou SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, ansanm ak nouvo materyèl semi-kondiktè ak gwo espas bann tankou Galyòm Oksid Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, frekans radyo, detèktè ak lòt domèn.

Jaden aplikasyon yo:
•Sikwi entegre:Kòm materyèl debaz pou fabrikasyon sikwi entegre, waf silikon tip P yo lajman itilize nan divès sikwi lojik, memwa, elatriye.
•Aparèy pouvwa:Yo ka itilize tranch silikon tip P pou fè aparèy pouvwa tankou tranzistò pouvwa ak dyòd.
•Capteur:Yo ka itilize tranch silikon tip P pou fè divès kalite detèktè, tankou detèktè presyon, detèktè tanperati, elatriye.
•Selil solè:Gato silikon tip P yo se yon eleman enpòtan nan selil solè yo.

VET Energy bay kliyan solisyon waf pèsonalize, epi li ka pèsonalize waf ak diferan rezistivite, diferan kontni oksijèn, diferan epesè ak lòt espesifikasyon selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou bay tou sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan rezoud divès pwoblèm yo rankontre nan pwosesis pwodiksyon an.

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=tip-n Pm-Grade,n-Ps=tip-n Ps-Grade,Sl=Semi-izolan

Atik	8 pous	6 pous			4 pous
Atik	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Valè Absoli	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformation (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Bò waf la	Bizote

FINI SIFAS

*n-Pm=tip-n Pm-Grade,n-Ps=tip-n Ps-Grade,Sl=Semi-izolan

Atik	8 pous	6 pous			4 pous
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Fini sifas	Doub bò Poli optik, Si-Fas CMP
Sifas Rugosité	(10um x 10um) Si-FasRa≤0.2nm C-Fas Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Fas Ra≤0.2nm C-Fas Ra≤0.5nm
Chips kwen	Pa gen okenn otorize (longè ak lajè ≥0.5mm)
Endantasyon	Okenn pa pèmèt
Reyur (Si-Face)	Kantite ≤5, Kimilatif Longè ≤ 0.5 × dyamèt wafer la	Kantite ≤5, Kimilatif Longè ≤ 0.5 × dyamèt wafer la			Kantite ≤5, Kimilatif Longè ≤ 0.5 × dyamèt wafer la
Fant	Okenn pa pèmèt
Eksklizyon kwen	3mm