6-дюймова кремнієва пластина типу P

Короткий опис:

6-дюймова кремнієва пластина P-типу від VET Energy — це високоякісний напівпровідниковий базовий матеріал, який широко використовується у виробництві різних електронних пристроїв. VET Energy використовує передовий процес вирощування цвяного порошку (CZ), щоб забезпечити відмінну якість кристалів, низьку щільність дефектів та високу однорідність пластини.

Надіслати нам електронного листа Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

Асортимент продукції VET Energy не обмежується кремнієвими пластинами. Ми також пропонуємо широкий асортимент напівпровідникових підкладок, включаючи SiC-підкладки, SOI-пластини, SiN-підкладки, Epi-пластини тощо, а також нові широкозонні напівпровідникові матеріали, такі як оксид галію Ga2O3 та AlN-пластини. Ці продукти можуть задовольнити потреби різних клієнтів у силовій електроніці, радіочастотах, датчиках та інших галузях.

Галузі застосування:
•Інтегральні схеми:Як основний матеріал для виготовлення інтегральних схем, кремнієві пластини P-типу широко використовуються в різних логічних схемах, пам'яті тощо.
•Силові пристрої:Кремнієві пластини P-типу можна використовувати для виготовлення силових пристроїв, таких як силові транзистори та діоди.
•Датчики:Кремнієві пластини P-типу можна використовувати для виготовлення різних типів датчиків, таких як датчики тиску, датчики температури тощо.
•Сонячні елементи:Кремнієві пластини P-типу є важливим компонентом сонячних елементів.

VET Energy пропонує клієнтам індивідуальні рішення для пластин, а також може виготовляти пластини з різним питомим опором, різним вмістом кисню, різною товщиною та іншими характеристиками відповідно до конкретних потреб клієнтів. Крім того, ми також надаємо професійну технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб допомогти клієнтам вирішити різні проблеми, що виникають у виробничому процесі.

ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАФЛЕЙ

*n-Pm=n-тип Pm-класу, n-Ps=n-тип Ps-класу, Sl=напівізоляційний

Елемент	8-дюймовий	6-дюймовий			4-дюймовий
Елемент	нП	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 мкм	≤6 мкм
Лук (GF3YFCD) - Абсолютне значення	≤15 мкм	≤15 мкм	≤25 мкм		≤15 мкм
Деформація (GF3YFER)	≤25 мкм	≤25 мкм	≤40 мкм		≤25 мкм
LTV (SBIR)-10 мм x 10 мм	<2 мкм
Край вафлі	Фасування

ОБРОБКА ПОВЕРХНІ

*n-Pm=n-тип Pm-класу, n-Ps=n-тип Ps-класу, Sl=напівізоляційний

Елемент	8-дюймовий	6-дюймовий			4-дюймовий
	нП	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Оздоблення поверхні	Двостороння оптична поліровка, Si-Face CMP
Шорсткість поверхні	(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa ≤ 0,2 нм C-подібна поверхня Ra ≤ 0,5 нм			(5 мкм x 5 мкм) Si-Face Ra ≤ 0,2 нм C-подібна поверхня Ra≤0,5 нм
Крайові чіпи	Не допускається (довжина та ширина ≥0,5 мм)
Відступи	Не дозволено
Подряпини (Si-Face)	Кількість ≤5, сукупно Довжина ≤ 0,5 × діаметр пластини	Кількість ≤5, сукупно Довжина ≤ 0,5 × діаметр пластини			Кількість ≤5, сукупно Довжина ≤ 0,5 × діаметр пластини
Тріщини	Не дозволено
Виключення краю	3 мм