Линейка продукции VET Energy не ограничивается кремниевыми пластинами. Мы также предлагаем широкий ассортимент материалов для полупроводниковых подложек, включая SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer и т. д., а также новые широкозонные полупроводниковые материалы, такие как оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Эти продукты могут удовлетворить потребности различных клиентов в области силовой электроники, радиочастот, датчиков и других областях.
Области применения:
•Интегральные схемы:Кремниевые пластины P-типа, являющиеся основным материалом для производства интегральных схем, широко используются в различных логических схемах, запоминающих устройствах и т. д.
•Устройства питания:Кремниевые пластины P-типа могут использоваться для изготовления силовых устройств, таких как силовые транзисторы и диоды.
•Датчики:Кремниевые пластины P-типа могут использоваться для изготовления различных типов датчиков, таких как датчики давления, датчики температуры и т. д.
•Солнечные элементы:Кремниевые пластины P-типа являются важным компонентом солнечных элементов.
VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин и может изготавливать пластины с различным сопротивлением, различным содержанием кислорода, различной толщиной и другими характеристиками в соответствии с конкретными потребностями клиентов. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.
СПЕЦИФИКАЦИИ ПЛАСТИН
*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный
| Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
| нП | н-Пм | н-Пс | SI | SI | |
| ТТВ(GBIR) | ≤6мкм | ≤6мкм | |||
| Лук (GF3YFCD)-Абсолютное значение | ≤15мкм | ≤15мкм | ≤25мкм | ≤15мкм | |
| Варп (GF3YFER) | ≤25мкм | ≤25мкм | ≤40мкм | ≤25мкм | |
| ЛТВ(СБИР)-10ммx10мм | <2мкм | ||||
| Край вафли | Скашивание | ||||
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный
| Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
| нП | н-Пм | н-Пс | SI | SI | |
| Отделка поверхности | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
| Шероховатость поверхности | (10мкм x 10мкм) Si-FaceRa≤0.2нм | (5мкмx5мкм) Si-поверхность Ra≤0,2нм | |||
| Краевые чипы | Не допускается (длина и ширина ≥0,5 мм) | ||||
| Отступы | Не разрешено | ||||
| Царапины (Si-Face) | Кол-во ≤5,Накопительное | Кол-во ≤5,Накопительное | Кол-во ≤5,Накопительное | ||
| Трещины | Не разрешено | ||||
| Исключение кромки | 3мм | ||||
-
Солнечная графитовая лодка для Pecvd
-
Графитовый ротор для вакуумного насоса
-
Водоохлаждаемый блок водородных топливных элементов мощностью 100 кВт для...
-
Водородный топливный элемент Pem Drone Generator Водород...
-
Недорогой водородный дрон-генератор Sofc...
-
Расходные материалы для полупроводникового оборудования: оксид алюминия...