VET Energy의 제품 라인은 실리콘 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 광범위한 반도체 기판 소재는 물론, 산화갈륨(Ga₂O₃) 및 AlN 웨이퍼와 같은 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재도 제공합니다. 이러한 제품들은 전력 전자, 무선 주파수, 센서 등 다양한 분야의 고객 요구를 충족할 수 있습니다.
적용 분야:
•집적 회로:P형 실리콘 웨이퍼는 집적회로 제조의 기본 소재로서 다양한 논리 회로, 메모리 등에 널리 사용됩니다.
•전원 장치:P형 실리콘 웨이퍼는 전력 트랜지스터와 다이오드와 같은 전력 소자를 만드는 데 사용될 수 있습니다.
•센서:P형 실리콘 웨이퍼는 압력 센서, 온도 센서 등 다양한 유형의 센서를 만드는 데 사용할 수 있습니다.
•태양 전지:P형 실리콘 웨이퍼는 태양 전지의 중요한 구성 요소입니다.
VET 에너지는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공하며, 고객의 특정 요구에 따라 다양한 저항률, 산소 함량, 두께 및 기타 사양의 웨이퍼를 맞춤 제작할 수 있습니다. 또한, 고객이 생산 과정에서 발생하는 다양한 문제를 해결할 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터서비스를 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| 엔피 | n-오후 | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-절대값 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 엣지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| 엔피 | n-오후 | n-Ps | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 연마, Si-Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩스 | 허용되지 않음(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량≤5,누적 | 수량≤5,누적 | 수량≤5,누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 에지 제외 | 3mm | ||||
