Materiali di crescita di cristalli SiC di nova generazione

Cù a pruduzzione graduale di massa di sustrati di SiC conduttivi, sò state messe in opera esigenze più elevate per a stabilità è a ripetibilità di u prucessu. In particulare, u cuntrollu di i difetti, a piccula regulazione o deriva di u campu termicu in u fornu, purterà cambiamenti di cristallu o l'aumentu di i difetti. In u periodu più tardi, duvemu affruntà a sfida di "cresce rapidamente, longu è grossu, è cresce", in più di u miglioramentu di a teoria è di l'ingegneria, avemu ancu bisognu di materiali di campu termicu più avanzati cum'è supportu. Aduprate materiali avanzati, cresce cristalli avanzati.

L'usu impropriu di materiali di crogiolu, cum'è a grafite, a grafite porosa, a polvere di carburo di tantalu, ecc. in u campu caldu porta à difetti cum'è una maggiore inclusione di carbone. Inoltre, in alcune applicazioni, a permeabilità di a grafite porosa ùn hè micca abbastanza, è sò necessarii fori supplementari per aumentà a permeabilità. A grafite porosa cù alta permeabilità affronta e sfide di trasfurmazione, rimozione di polvere, incisione è cusì.

VET introduce una nova generazione di materiale di campu termicu à crescita di cristalli SiC, carburo di tantalu porosu. Un debuttu mundiale.

A resistenza è a durezza di u carburu di tantalu sò assai alte, è fà lu porosu hè una sfida. Fà carburu di tantalu porosu cù una grande porosità è alta purezza hè una grande sfida. Hengpu Technology hà lanciatu un carburu di tantalu porosu rivoluzionariu cù una grande porosità, cù una porosità massima di 75%, guidendu u mondu.

A filtrazione di cumpunenti in fase gassosa, l'aghjustamentu di u gradiente di temperatura lucale, a direzzione di u flussu di materiale, u cuntrollu di e perdite, ecc., pò esse aduprata. Pò esse aduprata cù un altru carburu di tantalu solidu (compattu) o un rivestimentu di carburu di tantalu di Hengpu Technology per furmà cumpunenti lucali cù diverse conduttanza di flussu.

Certi cumpunenti ponu esse riutilizati.

Rivestimentu di carburo di tantalu (TaC) (2)


Data di publicazione: 14 di lugliu di u 2023
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