Dengan pengeluaran besar-besaran substrat SiC konduktif secara beransur-ansur, keperluan yang lebih tinggi dikemukakan untuk kestabilan dan kebolehulangan proses. Khususnya, kawalan kecacatan, pelarasan kecil atau hanyutan medan haba dalam relau, akan membawa perubahan kristal atau peningkatan kecacatan. Dalam tempoh kemudian, kita mesti menghadapi cabaran "tumbuh pesat, panjang dan tebal, dan membesar", selain peningkatan teori dan kejuruteraan, kita juga memerlukan bahan medan haba yang lebih maju sebagai sokongan. Gunakan bahan canggih, tanam kristal canggih.
Penggunaan bahan mangkuk pijar yang tidak betul, seperti grafit, grafit berliang, serbuk tantalum karbida, dan sebagainya di medan panas akan menyebabkan kecacatan seperti peningkatan kemasukan karbon. Di samping itu, dalam beberapa aplikasi, kebolehtelapan grafit berliang tidak mencukupi, dan lubang tambahan diperlukan untuk meningkatkan kebolehtelapan. Grafit berliang dengan kebolehtelapan yang tinggi menghadapi cabaran pemprosesan, penyingkiran serbuk, pengetsaan dan sebagainya.
VET memperkenalkan generasi baharu bahan medan terma pertumbuhan kristal SiC, tantalum karbida berliang. Penampilan sulung di dunia.
Kekuatan dan kekerasan tantalum karbida adalah sangat tinggi, dan menjadikannya berliang adalah satu cabaran. Membuat tantalum karbida berliang dengan keliangan yang besar dan ketulenan yang tinggi adalah satu cabaran yang besar. Hengpu Technology telah melancarkan terobosan tantalum karbida berliang dengan keliangan yang besar, dengan keliangan maksimum 75%, menerajui dunia.
Penapisan komponen fasa gas, pelarasan kecerunan suhu tempatan, arah aliran bahan, kawalan kebocoran, dan sebagainya, boleh digunakan. Ia boleh digunakan dengan salutan tantalum karbida pepejal (padat) atau tantalum karbida lain daripada Teknologi Hengpu untuk membentuk komponen tempatan dengan kekonduksian aliran yang berbeza.
Sesetengah komponen boleh digunakan semula.
Masa siaran: 14 Julai 2023