Odată cu producția treptată în masă a substraturilor conductive de SiC, apar cerințe mai mari pentru stabilitatea și repetabilitatea procesului. În special, controlul defectelor, ajustarea sau deviația mică a câmpului termic în cuptor, va duce la modificări ale cristalului sau la creșterea defectelor. În perioada ulterioară, trebuie să ne confruntăm cu provocarea de a „crește rapid, lung și gros și a crește”, pe lângă îmbunătățirea teoriei și ingineriei, avem nevoie și de materiale de câmp termic mai avansate ca suport. Folosind materiale avansate, creșteți cristale avansate.
Utilizarea necorespunzătoare a materialelor pentru creuzet, cum ar fi grafitul, grafitul poros, pulberea de carbură de tantal etc., în câmpul fierbinte va duce la defecte precum incluziunea crescută de carbon. În plus, în unele aplicații, permeabilitatea grafitului poros nu este suficientă și sunt necesare găuri suplimentare pentru a crește permeabilitatea. Grafitul poros cu permeabilitate ridicată se confruntă cu provocările legate de procesare, îndepărtarea pulberii, gravare și așa mai departe.
VET introduce o nouă generație de material termic cu câmp de creștere a cristalelor de SiC, carbura poroasă de tantal. O debut mondială.
Rezistența și duritatea carburii de tantal sunt foarte mari, iar crearea ei poroasă este o provocare. Fabricarea de carbură de tantal poroasă cu porozitate mare și puritate ridicată este o mare provocare. Hengpu Technology a lansat o carbură de tantal poroasă inovatoare cu porozitate mare, cu o porozitate maximă de 75%, lider mondial.
Se pot utiliza filtrarea componentelor în fază gazoasă, ajustarea gradientului de temperatură local, direcția curgerii materialului, controlul scurgerilor etc. Poate fi utilizat cu un alt strat solid de carbură de tantal (compact) sau cu carbură de tantal de la Hengpu Technology pentru a forma componente locale cu conductanță de curgere diferită.
Unele componente pot fi reutilizate.
Data publicării: 14 iulie 2023