Con la producción en masa gradual de sustratos de SiC conductores, se exigen mayores requisitos para la estabilidad y repetibilidad del proceso. En particular, el control de defectos, el pequeño ajuste o la variación del campo térmico en el horno, pueden provocar cambios en el cristal o un aumento de los defectos. En la etapa posterior, debemos afrontar el reto de "crecer rápido, largo y grueso, y crecer hacia arriba". Además de mejorar la teoría y la ingeniería, también necesitamos materiales de campo térmico más avanzados como soporte. Utilizar materiales avanzados permite cultivar cristales avanzados.
El uso inadecuado de materiales para crisoles, como grafito, grafito poroso, polvo de carburo de tantalio, etc., en el campo caliente, puede provocar defectos como un aumento de las inclusiones de carbono. Además, en algunas aplicaciones, la permeabilidad del grafito poroso es insuficiente y se requieren orificios adicionales para aumentarla. El grafito poroso de alta permeabilidad presenta desafíos en el procesamiento, la eliminación de polvo, el grabado, etc.
VET presenta una nueva generación de material de campo térmico para el crecimiento de cristales de SiC: el carburo de tantalio poroso. Un estreno mundial.
La resistencia y dureza del carburo de tantalio son muy elevadas, lo que dificulta su porosidad. Fabricar carburo de tantalio poroso con alta porosidad y pureza es un gran reto. Hengpu Technology ha lanzado un innovador carburo de tantalio poroso con alta porosidad, alcanzando un máximo del 75%, lo que lo posiciona como líder mundial en el sector.
Se puede utilizar para filtrar componentes en fase gaseosa, ajustar el gradiente de temperatura local, dirigir el flujo de material, controlar fugas, etc. También se puede combinar con carburo de tantalio sólido (compacto) o con un recubrimiento de carburo de tantalio de Hengpu Technology para formar componentes locales con diferente conductancia de flujo.
Algunos componentes pueden reutilizarse.
Fecha de publicación: 14 de julio de 2023