Con la producción masiva gradual de sustratos conductores de SiC, se imponen mayores requisitos de estabilidad y repetibilidad del proceso. En particular, el control de defectos y los pequeños ajustes o desviaciones del campo térmico en el horno provocarán cambios en los cristales o un aumento de defectos. En el futuro, debemos afrontar el reto de un crecimiento rápido, largo, grueso y ascendente. Además de la mejora de la teoría y la ingeniería, también necesitamos materiales de soporte de campo térmico más avanzados. Utilizar materiales avanzados permitirá desarrollar cristales avanzados.
El uso inadecuado de materiales de crisol, como grafito, grafito poroso, polvo de carburo de tantalio, etc., en el campo caliente provocará defectos como el aumento de la inclusión de carbono. Además, en algunas aplicaciones, la permeabilidad del grafito poroso es insuficiente, por lo que se requieren orificios adicionales para aumentarla. El grafito poroso con alta permeabilidad se enfrenta a los desafíos del procesamiento, la eliminación del polvo, el grabado, etc.
VET presenta una nueva generación de material de campo térmico de crecimiento de cristales de SiC: carburo de tántalo poroso. Un debut mundial.
La resistencia y dureza del carburo de tantalio son muy altas, por lo que lograr su porosidad es un desafío. Fabricar carburo de tantalio poroso con gran porosidad y alta pureza es un gran reto. Hengpu Technology ha lanzado un innovador carburo de tantalio poroso con gran porosidad, con una porosidad máxima del 75%, líder mundial.
Se pueden utilizar la filtración de componentes en fase gaseosa, el ajuste del gradiente de temperatura local, la dirección del flujo de material y el control de fugas, entre otras funciones. Se puede combinar con otro carburo de tantalio sólido (compacto) o con un recubrimiento de carburo de tantalio de Hengpu Technology para formar componentes locales con diferente conductancia de flujo.
Algunos componentes pueden reutilizarse.
Hora de publicación: 14 de julio de 2023