Հաղորդիչ SiC հիմքերի աստիճանական զանգվածային արտադրության հետ մեկտեղ, ավելի բարձր պահանջներ են ներկայացվում գործընթացի կայունության և կրկնելիության համար: Մասնավորապես, թերությունների վերահսկումը, վառարանում ջերմային դաշտի փոքր կարգավորումը կամ շեղումը կհանգեցնեն բյուրեղների փոփոխությունների կամ թերությունների աճի: Հետագա ժամանակահատվածում մենք պետք է բախվենք «արագ, երկար և խիտ աճելու և մեծանալու» մարտահրավերին, բացի տեսության և ճարտարագիտության կատարելագործումից, մեզ անհրաժեշտ են նաև ավելի առաջադեմ ջերմային դաշտի նյութեր որպես հենարան: Օգտագործեք առաջադեմ նյութեր, աճեցրեք առաջադեմ բյուրեղներ:
Հալման համար նախատեսված նյութերի, ինչպիսիք են գրաֆիտը, ծակոտկեն գրաֆիտը, տանտալի կարբիդի փոշին և այլն, ոչ ճիշտ օգտագործումը տաք դաշտում կհանգեցնի այնպիսի թերությունների, ինչպիսիք են ածխածնի ավելացումը: Բացի այդ, որոշ կիրառություններում ծակոտկեն գրաֆիտի թափանցելիությունը բավարար չէ, և թափանցելիությունը մեծացնելու համար անհրաժեշտ են լրացուցիչ անցքեր: Բարձր թափանցելիությամբ ծակոտկեն գրաֆիտը բախվում է մշակման, փոշու հեռացման, փորագրման և այլնի մարտահրավերների:
VET-ը ներկայացնում է SiC բյուրեղների աճեցման ջերմային դաշտի նյութի նոր սերունդ՝ ծակոտկեն տանտալի կարբիդ: Համաշխարհային դեբյուտ:
Տանտալի կարբիդի ամրությունն ու կարծրությունը շատ բարձր են, և այն ծակոտկեն դարձնելը մարտահրավեր է: Մեծ ծակոտկենությամբ և բարձր մաքրությամբ ծակոտկեն տանտալի կարբիդի ստացումը մեծ մարտահրավեր է: Hengpu Technology-ն թողարկել է մեծ ծակոտկենությամբ ծակոտկեն տանտալի կարբիդի հեղափոխական արտադրանք՝ 75% առավելագույն ծակոտկենությամբ, որը առաջատար է աշխարհում:
Կարող են օգտագործվել գազային փուլի բաղադրիչների ֆիլտրացիա, տեղային ջերմաստիճանի գրադիենտի կարգավորում, նյութի հոսքի ուղղություն, արտահոսքի վերահսկում և այլն: Այն կարող է օգտագործվել Hengpu Technology-ի մեկ այլ պինդ տանտալի կարբիդի (կոմպակտ) կամ տանտալի կարբիդի ծածկույթի հետ՝ տարբեր հոսքի հաղորդունակությամբ տեղային բաղադրիչներ ձևավորելու համար:
Որոշ բաղադրիչներ կարող են վերօգտագործվել։
Հրապարակման ժամանակը. Հուլիս-14-2023