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Proceso de semiconductores, proceso completo de fotolitografía.
La fabricación de cada producto semiconductor requiere cientos de procesos. Dividimos el proceso de fabricación completo en ocho pasos: procesamiento de obleas, oxidación, fotolitografía, grabado, deposición de película delgada, crecimiento epitaxial, difusión e implantación de iones. Para ayudarle...Leer más -
¡4 mil millones! SK Hynix anuncia inversión en empaquetado avanzado de semiconductores en el Parque de Investigación de Purdue.
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. anunció sus planes de invertir casi 4 mil millones de dólares para construir una planta avanzada de fabricación de empaques e I+D para productos de inteligencia artificial en el Parque de Investigación de Purdue. Estableciendo un eslabón clave en la cadena de suministro de semiconductores de EE. UU. en West Lafayette...Leer más -
La tecnología láser lidera la transformación de la tecnología de procesamiento de sustratos de carburo de silicio
1. Descripción general de la tecnología de procesamiento de sustratos de carburo de silicio Los pasos actuales de procesamiento del sustrato de carburo de silicio incluyen: rectificado del círculo exterior, corte, biselado, rectificado, pulido, limpieza, etc. El corte es un paso importante en la producción de sustratos de semiconductores...Leer más -
Materiales convencionales para el campo térmico: materiales compuestos C/C
Los compuestos carbono-carbono son un tipo de compuestos de fibra de carbono, con fibra de carbono como material de refuerzo y carbono depositado como material matriz. La matriz de los compuestos C/C es carbono. Al estar compuesta casi en su totalidad de carbono elemental, posee una excelente resistencia a altas temperaturas...Leer más -
Tres técnicas principales para el crecimiento de cristales de SiC
Como se muestra en la Fig. 3, existen tres técnicas dominantes que buscan producir monocristales de SiC de alta calidad y eficiencia: epitaxia en fase líquida (LPE), transporte físico de vapor (PVT) y deposición química en fase de vapor a alta temperatura (HTCVD). La PVT es un proceso consolidado para la producción de SiC sin...Leer más -
Breve introducción al GaN semiconductor de tercera generación y la tecnología epitaxial relacionada
1. Semiconductores de tercera generación. La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el silicio y el geionelio. Esta tecnología es la base material para el desarrollo de transistores y circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
23.500 millones, el superunicornio de Suzhou saldrá a bolsa
Tras 9 años de emprendimiento, Innoscience ha recaudado más de 6 mil millones de yuanes en financiación total, y su valoración ha alcanzado la asombrosa cifra de 23.5 mil millones de yuanes. La lista de inversores es tan extensa como decenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leer más -
¿Cómo mejoran los productos recubiertos de carburo de tantalio la resistencia a la corrosión de los materiales?
El recubrimiento de carburo de tantalio es una tecnología de tratamiento superficial de uso común que puede mejorar significativamente la resistencia a la corrosión de los materiales. El recubrimiento de carburo de tantalio puede adherirse a la superficie del sustrato mediante diferentes métodos de preparación, como la deposición química en fase de vapor, la deposición física...Leer más -
Introducción al semiconductor de tercera generación GaN y tecnología epitaxial relacionada
1. Semiconductores de tercera generación. La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el silicio y el geionelio. Esta tecnología es la base material para el desarrollo de transistores y circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más
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