Notizia

Perché il silicio è così duro ma così fragile?
da admin il 24-12-10
Il silicio è un cristallo atomico, i cui atomi sono collegati tra loro da legami covalenti, formando una struttura a rete spaziale. In questa struttura, i legami covalenti tra gli atomi sono molto direzionali e hanno un'elevata energia di legame, il che conferisce al silicio un'elevata durezza nel resistere alle forze esterne.
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Perché le pareti laterali si piegano durante l'incisione a secco?
da admin il 24-12-03
Non uniformità del bombardamento ionico. L'incisione a secco è solitamente un processo che combina effetti fisici e chimici, in cui il bombardamento ionico è un importante metodo di incisione fisica. Durante il processo di incisione, l'angolo di incidenza e la distribuzione dell'energia degli ioni possono essere irregolari. Se l'incidenza ionica...
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Introduzione a tre tecnologie CVD comuni
da admin il 24-12-03
La deposizione chimica da vapore (CVD) è la tecnologia più utilizzata nell'industria dei semiconduttori per depositare una varietà di materiali, tra cui un'ampia gamma di materiali isolanti, la maggior parte dei materiali metallici e leghe metalliche. La CVD è una tecnologia tradizionale per la preparazione di film sottili. Il suo principio...
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Il diamante può sostituire altri dispositivi semiconduttori ad alta potenza?
da admin il 24-11-25
Pietra miliare dei moderni dispositivi elettronici, i materiali semiconduttori stanno subendo cambiamenti senza precedenti. Oggi, il diamante sta gradualmente dimostrando il suo grande potenziale come materiale semiconduttore di quarta generazione, grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche e termiche e alla sua stabilità in condizioni estreme...
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Qual è il meccanismo di planarizzazione del CMP?
da admin il 24-11-25
Il Dual-Damascene è una tecnologia di processo utilizzata per la produzione di interconnessioni metalliche nei circuiti integrati. Si tratta di un ulteriore sviluppo del processo Damascus. Realizzando contemporaneamente fori passanti e scanalature nella stessa fase di processo e riempiendoli di metallo, la produzione integrata di...
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Grafite con rivestimento TaC
da admin il 24-11-21
I. Esplorazione dei parametri di processo 1. Sistema TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura di deposizione: secondo la formula termodinamica, si calcola che quando la temperatura è superiore a 1273 K, l'energia libera di Gibbs della reazione è molto bassa e la reazione è relativamente completa. Il re...
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Processo di crescita dei cristalli di carburo di silicio e tecnologia delle apparecchiature
da admin il 24-11-21
1. Percorso tecnologico per la crescita dei cristalli di SiC PVT (metodo di sublimazione), HTCVD (CVD ad alta temperatura), LPE (metodo in fase liquida) sono tre metodi comuni per la crescita dei cristalli di SiC; il metodo più riconosciuto nel settore è il metodo PVT e oltre il 95% dei monocristalli di SiC vengono coltivati con il PVT...
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Preparazione e miglioramento delle prestazioni dei materiali compositi porosi in silicio e carbonio
da admin il 24-11-13
Le batterie agli ioni di litio si stanno sviluppando principalmente nella direzione di un'elevata densità energetica. A temperatura ambiente, i materiali degli elettrodi negativi a base di silicio si legano al litio per produrre un prodotto ricco di litio, la fase Li3.75Si, con una capacità specifica fino a 3572 mAh/g, molto superiore a quella teorica...
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Ossidazione termica del silicio monocristallino
da admin il 24-11-13
La formazione di biossido di silicio sulla superficie del silicio è chiamata ossidazione, e la creazione di biossido di silicio stabile e fortemente aderente ha portato alla nascita della tecnologia planare dei circuiti integrati al silicio. Sebbene esistano molti modi per coltivare il biossido di silicio direttamente sulla superficie del silicio...
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