სიახლეები

  • BCD პროცესი

    BCD პროცესი

    რა არის BCD პროცესი? BCD პროცესი არის ერთჩიპიანი ინტეგრირებული პროცესის ტექნოლოგია, რომელიც პირველად ST-მ 1986 წელს წარადგინა. ამ ტექნოლოგიას შეუძლია ბიპოლარული, CMOS და DMOS მოწყობილობების ერთ ჩიპზე დამზადება. მისი გარეგნობა მნიშვნელოვნად ამცირებს ჩიპის ფართობს. შეიძლება ითქვას, რომ BCD პროცესი სრულად იყენებს...
    დაწვრილებით
  • BJT, CMOS, DMOS და სხვა ნახევარგამტარული პროცესების ტექნოლოგიები

    BJT, CMOS, DMOS და სხვა ნახევარგამტარული პროცესების ტექნოლოგიები

    კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ვებსაიტზე პროდუქტის შესახებ ინფორმაციისა და კონსულტაციისთვის. ჩვენი ვებსაიტი: https://www.vet-china.com/ ნახევარგამტარების წარმოების პროცესები აგრძელებს გარღვევას, ინდუსტრიაში გავრცელდა ცნობილი განცხადება, სახელწოდებით „მურის კანონი“. ის იყო...
    დაწვრილებით
  • ნახევარგამტარული ნიმუშის შექმნის პროცესის ნაკადის გრავირება

    ნახევარგამტარული ნიმუშის შექმნის პროცესის ნაკადის გრავირება

    ადრეულმა სველმა გრავირებამ ხელი შეუწყო გაწმენდის ან ფერფლის პროცესების განვითარებას. დღესდღეობით, პლაზმის გამოყენებით მშრალი გრავირება გრავირების ძირითად პროცესს წარმოადგენს. პლაზმა შედგება ელექტრონების, კათიონებისა და რადიკალებისგან. პლაზმაზე მიწოდებული ენერგია იწვევს პლაზმის ყველაზე გარე ელექტრონების...
    დაწვრილებით
  • 8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიური ღუმელისა და ჰომეოეპიტაქსიური პროცესის კვლევა-Ⅱ

    8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიური ღუმელისა და ჰომეოეპიტაქსიური პროცესის კვლევა-Ⅱ

    2 ექსპერიმენტული შედეგები და განხილვა 2.1 ეპიტაქსიური ფენის სისქე და ერთგვაროვნება ეპიტაქსიური ფენის სისქე, დოპირების კონცენტრაცია და ერთგვაროვნება ეპიტაქსიური ვაფლების ხარისხის შეფასების ერთ-ერთი ძირითადი მაჩვენებელია. ზუსტად კონტროლირებადი სისქე, დოპირების...
    დაწვრილებით
  • 8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიური ღუმელისა და ჰომეოეპიტაქსიური პროცესის კვლევა-Ⅰ

    8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიური ღუმელისა და ჰომეოეპიტაქსიური პროცესის კვლევა-Ⅰ

    ამჟამად, SiC ინდუსტრია 150 მმ-დან (6 ინჩი) 200 მმ-მდე (8 ინჩი) გარდაიქმნება. ინდუსტრიაში დიდი ზომის, მაღალი ხარისხის SiC ჰომოეპიტაქსიური ვაფლების მიმართ არსებული მოთხოვნის დასაკმაყოფილებლად, წარმატებით მომზადდა 150 მმ და 200 მმ 4H-SiC ჰომოეპიტაქსიური ვაფლები...
    დაწვრილებით
  • ფოროვანი ნახშირბადის ფოროვანი სტრუქტურის ოპტიმიზაცია -Ⅱ

    ფოროვანი ნახშირბადის ფოროვანი სტრუქტურის ოპტიმიზაცია -Ⅱ

    კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ვებგვერდზე პროდუქტის შესახებ ინფორმაციისა და კონსულტაციისთვის. ჩვენი ვებგვერდი: https://www.vet-china.com/ ფიზიკური და ქიმიური აქტივაციის მეთოდი ფიზიკური და ქიმიური აქტივაციის მეთოდი გულისხმობს ფოროვანი მასალების მომზადების მეთოდს ზემოთ ჩამოთვლილი ორი მოქმედების გაერთიანებით...
    დაწვრილებით
  • ფოროვანი ნახშირბადის ფოროვანი სტრუქტურის ოპტიმიზაცია-Ⅰ

    ფოროვანი ნახშირბადის ფოროვანი სტრუქტურის ოპტიმიზაცია-Ⅰ

    კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ვებგვერდზე პროდუქტის შესახებ ინფორმაციისა და კონსულტაციისთვის. ჩვენი ვებგვერდი: https://www.vet-china.com/ ეს ნაშრომი აანალიზებს გააქტიურებული ნახშირბადის მიმდინარე ბაზარს, ატარებს გააქტიურებული ნახშირბადის ნედლეულის სიღრმისეულ ანალიზს, წარმოგვიდგენს ფორების სტრუქტურას...
    დაწვრილებით
  • ნახევარგამტარული პროცესის ნაკადი-Ⅱ

    ნახევარგამტარული პროცესის ნაკადი-Ⅱ

    კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ვებგვერდზე პროდუქტის შესახებ ინფორმაციისა და კონსულტაციისთვის. ჩვენი ვებგვერდი: https://www.vet-china.com/ პოლი და SiO2-ის გრავირება: ამის შემდეგ, ჭარბი პოლი და SiO2 გრავირდება, ანუ შორდება. ამ დროს გამოიყენება მიმართულების გრავირება. კლასიფიკაციაში...
    დაწვრილებით
  • ნახევარგამტარული პროცესის ნაკადი

    ნახევარგამტარული პროცესის ნაკადი

    მისი გაგება მაშინაც შეგიძლიათ, თუ ფიზიკა ან მათემატიკა არასდროს გისწავლიათ, თუმცა ის ცოტა ზედმეტად მარტივია და დამწყებთათვის შესაფერისია. თუ გსურთ მეტი გაიგოთ CMOS-ის შესახებ, უნდა წაიკითხოთ ამ ნომრის შინაარსი, რადგან მხოლოდ პროცესის ნაკადის (ანუ...) გააზრების შემდეგ.
    დაწვრილებით
WhatsApp-ის ონლაინ ჩატი!