သတင်းများ

ဝေဖာအတုံးလေးတွေ လှီးဖြတ်ခြင်းဆိုတာ ဘာလဲ။
admin မှ ၂၄-၁၀-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဝေဖာတစ်ခုသည် စစ်မှန်သော semiconductor ချစ်ပ်တစ်ခုဖြစ်လာရန် ပြောင်းလဲမှုသုံးခုကို ဖြတ်သန်းရမည်- ပထမဦးစွာ၊ ဘလောက်ပုံသဏ္ဍာန် အခဲကို ဝေဖာများအဖြစ် ဖြတ်တောက်သည်၊ ဒုတိယလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ ယခင်လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် ထရန်စစ္စတာများကို ဝေဖာ၏ ရှေ့မျက်နှာပြင်တွင် ထွင်းထုသည်၊ နောက်ဆုံးတွင်၊ ထုပ်ပိုးမှုကို လုပ်ဆောင်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင် အသုံးချခြင်း
admin မှ ၂၄-၁၀-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီစက်များ၏ တိကျသောအစိတ်အပိုင်းများအတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်း semiconductor နယ်ပယ်တွင် silicon carbide ကြွေထည်ပစ္စည်းများကို အဓိကအားဖြင့် silicon carbide worktable၊ guide rails၊ reflectors၊ ceramic suction chuck၊ arms၊ g ကဲ့သို့သော integrated circuit ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဓိကပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အသုံးပြုကြသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
single crystal furnace ရဲ့ system ခြောက်ခုက ဘာတွေလဲ။
၂၄-၀၉-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
single crystal မီးဖိုဆိုသည်မှာ ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်ကို အသုံးပြု၍ inert gas (argon) ပတ်ဝန်းကျင်တွင် polycrystalline silicon ပစ္စည်းများကို အရည်ပျော်စေပြီး Czochralski နည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ non-dislocated single crystals များ ကြီးထွားစေသည့် ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် အောက်ပါစနစ်များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်- Mechanical...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
single crystal မီးဖိုရဲ့ thermal field မှာ graphite ဘာကြောင့် လိုအပ်တာလဲ။
၂၄-၀၉-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
ဒေါင်လိုက် single crystal မီးဖို၏ အပူစနစ်ကို thermal field လို့လည်းခေါ်ပါတယ်။ graphite thermal field စနစ်ရဲ့ လုပ်ဆောင်ချက်က ဆီလီကွန်ပစ္စည်းတွေကို အရည်ပျော်စေပြီး single crystal ကြီးထွားမှုကို အပူချိန်တစ်ခုမှာ ထိန်းထားဖို့အတွက် စနစ်တစ်ခုလုံးကို ရည်ညွှန်းပါတယ်။ ရိုးရှင်းစွာပြောရရင် ဒါဟာ ပြီးပြည့်စုံတဲ့ grap တစ်ခုပါ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ပါဝါ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဝေဖာ ဖြတ်တောက်ခြင်းအတွက် လုပ်ငန်းစဉ် အမျိုးအစားများစွာ
admin မှ ၂၄-၀၉-၂၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် အရေးကြီးသောချိတ်ဆက်မှုများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအဆင့်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာများမှ တစ်ဦးချင်းပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ သို့မဟုတ် ချစ်ပ်များကို တိကျစွာခွဲခြားရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်း၏ အဓိကသော့ချက်မှာ နူးညံ့သိမ်မွေ့သောဖွဲ့စည်းပုံကို သေချာစေစဉ်တွင် တစ်ဦးချင်းချစ်ပ်များကို ခွဲခြားနိုင်ရန်ဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
BCD လုပ်ငန်းစဉ်
admin မှ ၂၄-၀၉-၁၈ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
BCD လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုတာဘာလဲ။ BCD လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုတာ ST မှ ၁၉၈၆ ခုနှစ်မှာ ပထမဆုံးမိတ်ဆက်ခဲ့တဲ့ single-chip integrated process နည်းပညာတစ်ခုပါ။ ဒီနည်းပညာက bipolar၊ CMOS နဲ့ DMOS devices တွေကို chip တစ်ခုတည်းမှာ ဖန်တီးနိုင်ပါတယ်။ သူ့ရဲ့ပုံပန်းသဏ္ဌာန်က chip ရဲ့ဧရိယာကို သိသိသာသာလျော့ကျစေပါတယ်။ BCD လုပ်ငန်းစဉ်က... ကို အပြည့်အဝအသုံးပြုတယ်လို့ ပြောနိုင်ပါတယ်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
BJT၊ CMOS၊ DMOS နှင့် အခြား semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာများ
admin မှ ၂၄-၀၉-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ထုတ်ကုန်အချက်အလက်နှင့် တိုင်ပင်ဆွေးနွေးမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝက်ဘ်ဆိုက်သို့ ကြိုဆိုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝက်ဘ်ဆိုက်- https://www.vet-china.com/ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဆက်လက်တိုးတက်မှုများ ပြုလုပ်လာသည်နှင့်အမျှ "Moore's Law" ဟုခေါ်သော ကျော်ကြားသော ဖော်ပြချက်တစ်ခုသည် လုပ်ငန်းတွင် လည်ပတ်နေပါသည်။ ၎င်းသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပုံစံထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ် စီးဆင်းမှု-ထွင်းထုခြင်း
admin မှ ၂၄-၀၉-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
အစောပိုင်း စိုစွတ်သော etching သည် သန့်ရှင်းရေး သို့မဟုတ် ပြာချခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခဲ့သည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် ပလာစမာကို အသုံးပြု၍ ခြောက်သွေ့သော etching သည် အဓိက etching လုပ်ငန်းစဉ် ဖြစ်လာခဲ့သည်။ ပလာစမာတွင် အီလက်ထရွန်များ၊ cations နှင့် radicals များ ပါဝင်သည်။ ပလာစမာသို့ အသုံးပြုသော စွမ်းအင်သည် အပြင်ဘက်ဆုံး အီလက်ထရွန်များကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
၈ လက်မ SiC epitaxial မီးဖိုနှင့် homoepitaxial လုပ်ငန်းစဉ်-II ဆိုင်ရာ သုတေသန
admin မှ ၂၄-၀၉-၀၄ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
၂ စမ်းသပ်မှုရလဒ်များနှင့် ဆွေးနွေးချက် ၂.၁ Epitaxial အလွှာအထူနှင့် တစ်ပြေးညီဖြစ်မှု Epitaxial အလွှာအထူ၊ doping အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုသည် epitaxial wafers များ၏ အရည်အသွေးကို ဆုံးဖြတ်ရာတွင် အဓိကညွှန်းကိန်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ တိကျစွာ ထိန်းချုပ်နိုင်သော အထူ၊ doping co...
ပိုပြီးဖတ်ပါ