1. Tiknoolajiyada daawada budada carbide ee Silicon carbide
Ku darista xaddi ku habboon oo ah curiyaha Ce ee budada carbide-ka silicon waxay gaari kartaa saameynta koritaanka xasilloon ee qaabka kiristaalka keli ah ee 4H-SiC. Khibrad wax ku ool ah ayaa muujisay in ku darista walxaha Ce ee walxaha budada ah ay kordhin karto heerka koritaanka kiristaalka carbide-ka silicon, taasoo ka dhigaysa kiristaalka mid si dhakhso ah u koraya. Jihada carbide-ka silicon waa la xakameyn karaa, taasoo ka dhigaysa jihada koritaanka kiristaalka mid isku mid ah oo joogto ah. Waxay joojisaa soo saarista wasakhda kiristaalka, waxay yareysaa sameynta cilladaha, waxayna sahlaysaa in la helo kiristaalka qaab hal-kiristaalka ah iyo kiristaalka tayo sare leh. Waxay joojin kartaa daxalka dhabarka kiristaalka waxayna kordhin kartaa heerka kiristaalka keli ah ee kiristaalka.
2. Tiknoolajiyada xakamaynta heerkulka axial iyo radial-ka ee goobta heerkulka
Heerkulka axial-ka wuxuu inta badan saameeyaa qaabka koritaanka kiristaalka iyo hufnaanta koritaanka kiristaalka. Heerkulka oo aad u yar wuxuu horseedi doonaa muuqaalka heterocrystals inta lagu jiro habka koritaanka kiristaalka wuxuuna sidoo kale saameyn doonaa heerka gaadiidka walxaha gaaska leh, taasoo keenta hoos u dhac ku yimaada heerka koritaanka kiristaalka. Heerkulka axial-ka iyo radial-ka ee ku habboon ayaa fududeeya koritaanka degdega ah ee kiristaalka SiC waxayna ilaalinayaan xasilloonida tayada kiristaalka.
3. Tiknoolajiyada xakamaynta kala-baxa diyaaradda ee aasaasiga ah (BPD)
Sababta ugu weyn ee keenta cilladda BPD waa in cadaadiska jarista ee kiristaalka uu ka badan yahay cadaadiska jarista ee muhiimka ah ee jirka.Kilaastiigga SiC, taasoo horseedaysa firfircoonida nidaamka simbiriirixanka. Maadaama BPD ay si toosan ugu toosan tahay jihada koritaanka kiristaalka, waxaa inta badan la soo saaraa inta lagu jiro habka koritaanka kiristaalka iyo habka qaboojinta kiristaalka dambe.
4. Nidaaminta saamiga qaybaha wejiga gaaska iyo tiknoolajiyada xakamaynta
Habka koritaanka kiristaalka, kordhinta saamiga kaarboon-silicon iyo saamiga qaybaha gaaska-wajiga ee deegaanka koritaanka waa cabbir wax ku ool ah si loo gaaro koboc deggan oo qaab kiristaal ah oo keliya ah. Sababtoo ah saamiga kaarboon-silicon oo sarreeya wuxuu yareyn karaa isku-darka tallaabo weyn wuxuuna ilaalin karaa dhaxalka macluumaadka koritaanka ee dusha sare ee kiristaalka abuurka, waxay xakameyn kartaa isku-dhafka.
5. Tiknoolajiyada xakamaynta cadaadiska hooseeya
Inta lagu jiro habka koritaanka kiristaalka, joogitaanka walbahaarka ayaa sababi kara diyaaradaha kiristaalka gudaha eeSiCin la leexiyo, taasoo keenta tayo xumo kiristaal ah iyo xitaa dildilaac kiristaal ah. Intaa waxaa dheer, cadaadis weyn ayaa horseedi kara koror ku yimaada kala-goysyada salka ee wafer-ka. Cilladahani waxay geli karaan lakabka epitaxial inta lagu jiro habka epitaxial-ka, taasoo si xun u saamaysa waxqabadka qalabka marxaladda dambe.
Waa kuwan dhowr hab oo lagu hagaajin karo habka loo yareeyo walbahaarka ku jira kiristaalka:
1. Hagaaji qaybinta goobta heerkulka iyo xuduudaha habka si aad u awoodsiiso hal SiCkoritaanka kiristaalkasi aad ugu sii socoto xaalado u dhow dheelitirka intii suurtogal ah.
2. Hagaaji qaab-dhismeedka iyo qaabka loo yaqaan 'squable structure' si aad ugu oggolaato kiristaalku inuu si xor ah ugu koro xaalad aan xaddidnayn.
3. Marka laga hadlayo hagaajinta kiristaalka abuurka, wax ka beddel habka hagaajinta si loo yareeyo farqiga u dhexeeya isku-dhafka ballaarinta kulaylka ee u dhexeeya kiristaalka abuurka iyo hayaha garaafka inta lagu jiro kuleylinta, taasoo yaraynaysa cadaadiska gudaha ee kiristaalka keli ah ee 4H-SiC. Habka caadiga ah waa in laga tago farqiga 2 mm u dhexeeya kiristaalka abuurka iyo hayaha garaafka.
4. Wax ka beddel habka daminta kiristaalka adigoo hirgelinaya daminta foornada ee loogu talagalay kiristaalka. Hagaaji heerkulka iyo muddada daminta si aad si buuxda u sii deyso cadaadiska gudaha kiristaalka.
Marka la eego mustaqbalka, tignoolajiyada diyaarinta kelyaha ee silicon carbide (SiC) ee tayada sare leh ayaa horumarin doonta dhowr jiho oo muhiim ah:
1. Kor u qaadista cabbirka wafer-ka: Dhexroorka kiristaalka SiC wuxuu ka gudbay milimitirkii hore ilaa wafer-ka 12-inji ee hadda jira ee 6-inji, 8-inji, iyo xitaa ka weyn. Diyaarinta kiristaalka SiC ee waaweyn waxay xoojisaa hufnaanta wax soo saarka, waxay yareysaa kharashyada, waxayna daboolaysaa baahiyaha aaladaha awoodda sare leh.
2. Hagaajinta tayada kiristaalka: Kiristaalada SiC ee tayada sare leh ayaa muhiim u ah aaladaha waxqabadka sare leh. In kasta oo horumar la taaban karo la sameeyay, haddana cillado sida tuubooyinka yaryar, kala-goysyada, iyo wasakhda ayaa weli sii jira, taasoo saameyn ku leh waxqabadka qalabka iyo isku halaynta.
3. Yaraynta kharashyada wax soo saarka: Qiimaha sare ee diyaarinta kiristaalka SiC wuxuu xaddidayaa isticmaalkiisa meelaha qaarkood. Yaraynta kharashka waxaa lagu gaari karaa iyadoo la wanaajiyo hababka koritaanka, la hagaajiyo hufnaanta wax soo saarka, iyo la yareeyo kharashyada alaabta ceeriin ah.
4. Hirgelinta wax soo saarka caqliga leh: Iyadoo la horumarinayo AI iyo xogta waaweyn, tiknoolajiyada kobaca kiristaalka SiC waxay si isa soo taraysa u qaadan doontaa sirdoonka. La socodka waqtiga-dhabta ah iyo xakamaynta iyada oo loo marayo dareemayaasha iyo nidaamyada xakamaynta otomaatiga ah waxay xoojiyaan xasilloonida habka iyo xakamaynta. Isla mar ahaantaana, ka faa'iidaysiga falanqaynta xogta waaweyn waxay wanaajisaa xogta kobaca, taasoo hagaajinaysa tayada kiristaalka iyo hufnaanta wax soo saarka.
Tiknoolajiyadda diyaarinta ee kiristaalo keli ah oo silikoon ah oo tayo sare leh ayaa ka mid ah meelaha ugu badan ee cilmi-baarista walxaha semiconductor-ka. Iyada oo la marayo horumarka joogtada ah ee tignoolajiyada, tignoolajiyada koritaanka kiristaalka silikoon ee silikoon ayaa sii wadi doonta inay horumarto oo ay horumarto, taasoo bixinaysa aasaas adag oo loogu talagalay isticmaalka kaarboonka silikoon ee heerkulka sare, soo noqnoqoshada sare, awoodda sare iyo meelaha kale.
Waqtiga boostada: Luulyo-10-2025