Monokristallin 8-tums kiselskiva

Kort beskrivning:

VET Energys enkristalliga 8-tums kiselskiva är ett högrent och högkvalitativt halvledarbasmaterial. VET Energy använder avancerad CZ-tillväxtprocess för att säkerställa att skivan har utmärkt kristallkvalitet, låg defektdensitet och hög enhetlighet, vilket ger ett solidt och pålitligt substrat för dina halvledarkomponenter.


Produktinformation

Produktetiketter

Den monokristallina 8-tums kiselskivan från VET Energy är en branschledande lösning för tillverkning av halvledare och elektroniska apparater. Med sin överlägsna renhet och kristallina struktur är dessa skivor idealiska för högpresterande tillämpningar inom både solcells- och halvledarindustrin. VET Energy säkerställer att varje skiva bearbetas noggrant för att uppfylla de högsta standarderna, vilket ger utmärkt enhetlighet och slät ytfinish, vilket är avgörande för avancerad produktion av elektroniska apparater.

Dessa monokristallina 8-tums kiselskivor är kompatibla med en rad olika material, inklusive Si-skivor, SiC-substrat, SOI-skivor och SiN-substrat, och är särskilt lämpade för epi-skivortillväxt. Deras överlägsna värmeledningsförmåga och elektriska egenskaper gör dem till ett pålitligt val för högeffektiv tillverkning. Dessutom är dessa skivor utformade för att fungera sömlöst med material som galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor, vilket erbjuder ett brett utbud av tillämpningar från kraftelektronik till RF-enheter. Skivorna passar också perfekt i kassettsystem för automatiserade produktionsmiljöer med hög volym.

VET Energys produktsortiment är inte begränsat till kiselskivor. Vi erbjuder även ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive SiC-substrat, SOI-skivor, SiN-substrat, Epi-skivor etc., såväl som nya halvledarmaterial med brett bandgap som galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor. Dessa produkter kan möta olika kunders behov inom kraftelektronik, radiofrekvens, sensorer och andra områden.

VET Energy erbjuder kunder skräddarsydda waferlösningar. Vi kan anpassa wafers med olika resistivitet, syrehalt, tjocklek etc. enligt kundernas specifika behov. Dessutom erbjuder vi även professionell teknisk support och eftermarknadsservice för att hjälpa kunder att lösa olika problem som uppstår under produktionsprocessen.

第6页-36
第6页-35

SPECIFIKATIONER FÖR WAFERANLÄGGNING

*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande

Punkt

8-tums

6-tums

4-tums

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Båge(GF3YFCD) - Absolut värde

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Varpning (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2 μm

Waferkant

Avfasning

YTBEHANDLING

*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande

Punkt

8-tums

6-tums

4-tums

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Ytbehandling

Dubbelsidig optisk polering, Si-Face CMP

Ytjämnhet

(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-yta Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Kantchips

Inget tillåtet (längd och bredd ≥0,5 mm)

Indrag

Inget tillåtet

Repor (Si-Face)

Antal ≤5, Kumulativt
Längd ≤0,5 × skivdiameter

Antal ≤5, Kumulativt
Längd ≤0,5 × skivdiameter

Antal ≤5, Kumulativt
Längd ≤0,5 × skivdiameter

Sprickor

Inget tillåtet

Kantuslutning

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Tidigare:
  • Nästa:

  • WhatsApp onlinechatt!