Den monokristallina 8-tums kiselskivan från VET Energy är en branschledande lösning för tillverkning av halvledare och elektroniska apparater. Med sin överlägsna renhet och kristallina struktur är dessa skivor idealiska för högpresterande tillämpningar inom både solcells- och halvledarindustrin. VET Energy säkerställer att varje skiva bearbetas noggrant för att uppfylla de högsta standarderna, vilket ger utmärkt enhetlighet och slät ytfinish, vilket är avgörande för avancerad produktion av elektroniska apparater.
Dessa monokristallina 8-tums kiselskivor är kompatibla med en rad olika material, inklusive Si-skivor, SiC-substrat, SOI-skivor och SiN-substrat, och är särskilt lämpade för epi-skivortillväxt. Deras överlägsna värmeledningsförmåga och elektriska egenskaper gör dem till ett pålitligt val för högeffektiv tillverkning. Dessutom är dessa skivor utformade för att fungera sömlöst med material som galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor, vilket erbjuder ett brett utbud av tillämpningar från kraftelektronik till RF-enheter. Skivorna passar också perfekt i kassettsystem för automatiserade produktionsmiljöer med hög volym.
VET Energys produktsortiment är inte begränsat till kiselskivor. Vi erbjuder även ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive SiC-substrat, SOI-skivor, SiN-substrat, Epi-skivor etc., såväl som nya halvledarmaterial med brett bandgap som galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor. Dessa produkter kan möta olika kunders behov inom kraftelektronik, radiofrekvens, sensorer och andra områden.
VET Energy erbjuder kunder skräddarsydda waferlösningar. Vi kan anpassa wafers med olika resistivitet, syrehalt, tjocklek etc. enligt kundernas specifika behov. Dessutom erbjuder vi även professionell teknisk support och eftermarknadsservice för att hjälpa kunder att lösa olika problem som uppstår under produktionsprocessen.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERANLÄGGNING
*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande
| Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Båge(GF3YFCD) - Absolut värde | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Varpning (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Waferkant | Avfasning | ||||
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande
| Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Ytbehandling | Dubbelsidig optisk polering, Si-Face CMP | ||||
| Ytjämnhet | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-yta Ra≤0,2nm | |||
| Kantchips | Inget tillåtet (längd och bredd ≥0,5 mm) | ||||
| Indrag | Inget tillåtet | ||||
| Repor (Si-Face) | Antal ≤5, Kumulativt | Antal ≤5, Kumulativt | Antal ≤5, Kumulativt | ||
| Sprickor | Inget tillåtet | ||||
| Kantuslutning | 3 mm | ||||





