SiC эпитаксиясе өчен SiC белән капланган графит ярым ай детале һәм җыю

SiC белән капланган графит ярым ай өлешеярымүткәргеч җитештерү процессларында, бигрәк тә SiC эпитаксиаль җиһазлары өчен кулланыла торган төп компонент. Аның структура дизайны һәм материал үзенчәлекләре эпитаксиаль пластиналарның сыйфатын һәм җитештерү нәтиҗәлелеген турыдан-туры билгели.

Реакция камерасы төзелеше:
Ярым ай өлеше ике өлештән тора: өске һәм аскы өлешләр, алар бергә кушылып, кремний карбиды субстратын (гадәттә 4H-SiC яки 6H-SiC) урнаштыра торган ябык үсеш камерасы барлыкка китерә һәм газ агымы кырын төгәл контрольдә тоту юлы белән (мәсәлән, SiH₄, C₃H₈ һәм H₂ катнашмасы) эпитаксиаль катлам үсешен тәэмин итә.
Температура кырын көйләү:
Индукцион җылыту катушкасы белән берләштерелгән югары чисталыклы графит нигезе эпитаксиаль катлам калынлыгының тотрыклылыгын тәэмин итү өчен 1500-1700°C югары температурада камера температурасының бердәмлеген (±5°C эчендә) саклый ала.
Һава агымы буенча күрсәтмәләр:
Һава керү һәм чыгу урыннарының урнашуын проектлау юлы белән (мәсәлән, горизонталь мич корпусының ян һава керү һәм өске һава чыгу урыны), реакция газының ламинар агымы субстрат өслеге аша үтә, бу турбулентлык аркасында килеп чыккан үсеш кимчелекләрен киметә.

Төп материал: югары сафлыклы графит
Чисталык таләпләре:углерод күләме ≥99.99%, көл күләме ≤5ppm, югары температурада эпитаксиаль катламны пычрату өчен бернинди катнашмалар да утырмавын тәэмин итү өчен.
Эшчәнлек өстенлекләре:
Югары җылылык үткәрүчәнлеге:Бүлмә температурасында җылылык үткәрүчәнлеге 150 Вт/(м・К) га җитә, бу бакыр дәрәҗәсенә якын һәм җылылыкны тиз күчерә ала.
Түбән киңәю коэффициенты:5×10^-6/℃ (25-1000℃), кремний карбиды субстратына туры килә (4.2×10^-6/℃), термик стресс аркасында каплау ярылуын киметә.
Эшкәртү төгәллеге:Камераның герметиклыгын тәэмин итү өчен CNC эшкәртү аша ±0,05 мм үлчәмле толерантлыкка ирешелә.

CVD SiC һәм CVD TaC'ның дифференциаль кулланылышы