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  • Proceso BCD

    Proceso BCD

    ¿Qué es el proceso BCD? El proceso BCD es una tecnología de proceso integrado en un solo chip, introducida por primera vez por ST en 1986. Esta tecnología permite fabricar dispositivos bipolares, CMOS y DMOS en el mismo chip. Su diseño reduce considerablemente el área del chip. Se puede decir que el proceso BCD aprovecha al máximo...
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  • BJT, CMOS, DMOS y otras tecnologías de procesos de semiconductores

    BJT, CMOS, DMOS y otras tecnologías de procesos de semiconductores

    Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y consultas sobre productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ A medida que los procesos de fabricación de semiconductores siguen logrando avances, una famosa afirmación llamada "Ley de Moore" ha circulado en la industria. Fue...
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  • Proceso de modelado de semiconductores mediante grabado por flujo

    Proceso de modelado de semiconductores mediante grabado por flujo

    El grabado húmedo inicial impulsó el desarrollo de procesos de limpieza o incineración. Hoy en día, el grabado en seco con plasma se ha convertido en el proceso de grabado más común. El plasma está compuesto de electrones, cationes y radicales. La energía aplicada al plasma hace que los electrones más externos...
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  • Investigación sobre el horno epitaxial de SiC de 8 pulgadas y el proceso homoepitaxial-II

    Investigación sobre el horno epitaxial de SiC de 8 pulgadas y el proceso homoepitaxial-II

    2 Resultados experimentales y discusión 2.1 Espesor y uniformidad de la capa epitaxial. El espesor de la capa epitaxial, la concentración y la uniformidad del dopaje son indicadores clave para evaluar la calidad de las obleas epitaxiales. Un espesor y una concentración de dopaje controlables con precisión...
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  • Investigación sobre el horno epitaxial de SiC de 8 pulgadas y el proceso homoepitaxial-Ⅰ

    Investigación sobre el horno epitaxial de SiC de 8 pulgadas y el proceso homoepitaxial-Ⅰ

    Actualmente, la industria del SiC está en proceso de transformación de 150 mm (6 pulgadas) a 200 mm (8 pulgadas). Para satisfacer la urgente demanda de obleas homoepitaxiales de SiC de gran tamaño y alta calidad, se prepararon con éxito obleas homoepitaxiales de 4H-SiC de 150 mm y 200 mm en...
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  • Optimización de la estructura porosa del carbono -II

    Optimización de la estructura porosa del carbono -II

    Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y consultas sobre nuestros productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ Método de activación físico-química. El método de activación físico-química se refiere al método de preparación de materiales porosos mediante la combinación de las dos actividades mencionadas...
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  • Optimización de la estructura de poros de carbono poroso-Ⅰ

    Optimización de la estructura de poros de carbono poroso-Ⅰ

    Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y consultas sobre nuestros productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ Este artículo analiza el mercado actual del carbón activado, realiza un análisis exhaustivo de las materias primas del carbón activado y presenta la estructura porosa...
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  • Flujo del proceso de semiconductores-II

    Flujo del proceso de semiconductores-II

    Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y consultas sobre nuestros productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ Grabado de poli y SiO₂: Posteriormente, se elimina el exceso de poli y SiO₂. En este caso, se utiliza el grabado direccional. En la clasificación...
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  • Flujo del proceso de semiconductores

    Flujo del proceso de semiconductores

    Puedes entenderlo incluso si nunca has estudiado física ni matemáticas, pero es demasiado simple y apto para principiantes. Si quieres saber más sobre CMOS, debes leer el contenido de este número, ya que solo después de comprender el flujo del proceso (es decir...)
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