SiC sólido CVD de alta pureza a granel

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Breve descripción:

El rápido crecimiento de monocristales de SiC mediante la deposición química de vapor (CVD-SiC) es un método común para la preparación de materiales monocristalinos de SiC de alta calidad. Estos monocristales pueden utilizarse en diversas aplicaciones, como dispositivos electrónicos de alta potencia, dispositivos optoelectrónicos, sensores y dispositivos semiconductores.

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VET Energy utiliza una pureza ultra alta.carburo de silicio (SiC)formado por deposición química de vapor(ECV)como material de origen para el crecimientocristales de SiCmediante transporte físico de vapor (PVT). En PVT, el material fuente se carga en uncrisoly se sublimó sobre un cristal semilla.

Se requiere una fuente de alta pureza para fabricar productos de alta calidad.cristales de SiC.

VET Energy se especializa en el suministro de SiC de partículas grandes para PVT, ya que posee una mayor densidad que el material de partículas pequeñas formado por la combustión espontánea de gases que contienen Si y C. A diferencia de la sinterización en fase sólida o la reacción de Si y C, no requiere un horno de sinterización específico ni un proceso de sinterización prolongado en un horno de crecimiento. Este material de partículas grandes presenta una tasa de evaporación prácticamente constante, lo que mejora la uniformidad entre lotes.

Introducción:
1. Preparación del bloque de SiC CVD: En primer lugar, es necesario preparar un bloque de SiC CVD de alta calidad, generalmente de alta pureza y densidad. Este se puede preparar mediante el método de deposición química en fase vapor (CVD) bajo las condiciones de reacción adecuadas.

2. Preparación del sustrato: Seleccione un sustrato adecuado para el crecimiento del monocristal de SiC. Los materiales de sustrato comúnmente utilizados incluyen carburo de silicio, nitruro de silicio, etc., que presentan una buena compatibilidad con el monocristal de SiC en crecimiento.

3. Calentamiento y sublimación: Coloque la fuente de bloque de SiC CVD y el sustrato en un horno de alta temperatura y proporcione las condiciones de sublimación adecuadas. La sublimación consiste en que, a alta temperatura, la fuente de bloque pasa directamente del estado sólido al gaseoso y luego se condensa sobre la superficie del sustrato para formar un monocristal.

4. Control de temperatura: Durante el proceso de sublimación, es necesario controlar con precisión el gradiente y la distribución de la temperatura para favorecer la sublimación del bloque fuente y el crecimiento de monocristales. Un control de temperatura adecuado permite obtener una calidad de cristal y una velocidad de crecimiento óptimas.

5. Control de la atmósfera: Durante el proceso de sublimación, también es necesario controlar la atmósfera de reacción. Generalmente se utiliza un gas inerte de alta pureza (como el argón) como gas portador para mantener la presión y la pureza adecuadas y evitar la contaminación por impurezas.

6. Crecimiento de monocristales: La fuente de bloque de SiC CVD experimenta una transición de fase gaseosa durante el proceso de sublimación y se recondensa en la superficie del sustrato para formar una estructura de monocristal. El crecimiento rápido de monocristales de SiC se puede lograr mediante condiciones de sublimación adecuadas y el control del gradiente de temperatura.