SiC sólido a granel de CVD de alta pureza

Descripción breve:

El rápido crecimiento de monocristales de SiC mediante fuentes de SiC a granel mediante CVD (deposición química en fase de vapor, SiC) es un método común para la preparación de monocristales de SiC de alta calidad. Estos monocristales pueden emplearse en diversas aplicaciones, como dispositivos electrónicos de alta potencia, dispositivos optoelectrónicos, sensores y dispositivos semiconductores.

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VET Energy utiliza pureza ultraaltacarburo de silicio (SiC)formado por deposición química de vapor(enfermedad cardiovascular)como material de origen para el crecimientocristales de SiCmediante transporte físico de vapor (PVT). En el PVT, el material fuente se carga en uncrisoly sublimado sobre un cristal semilla.

Se requiere una fuente de alta pureza para fabricar productos de alta calidad.cristales de SiC.

VET Energy se especializa en el suministro de SiC de partículas grandes para PVT debido a su mayor densidad que el material de partículas pequeñas formado por combustión espontánea de gases que contienen Si y C. A diferencia de la sinterización en fase sólida o la reacción de Si y C, no requiere un horno de sinterización específico ni una lenta etapa de sinterización en un horno de crecimiento. Este material de partículas grandes tiene una tasa de evaporación prácticamente constante, lo que mejora la uniformidad entre las distintas fases.

Introducción:
1. Preparación de la fuente de bloques de CVD-SiC: Primero, se debe preparar una fuente de bloques de CVD-SiC de alta calidad, generalmente de alta pureza y alta densidad. Esta puede prepararse mediante el método de deposición química en fase de vapor (CVD) en condiciones de reacción adecuadas.

2. Preparación del sustrato: Seleccione un sustrato adecuado para el crecimiento del monocristal de SiC. Entre los materiales de sustrato más comunes se incluyen el carburo de silicio, el nitruro de silicio, etc., que se adaptan bien al crecimiento del monocristal de SiC.

3. Calentamiento y sublimación: Coloque la fuente de bloque de CVD-SiC y el sustrato en un horno de alta temperatura y proporcione las condiciones de sublimación adecuadas. La sublimación implica que, a alta temperatura, la fuente de bloque pasa directamente del estado sólido al vapor y luego se recondensa en la superficie del sustrato para formar un monocristal.

4. Control de temperatura: Durante el proceso de sublimación, es necesario controlar con precisión el gradiente y la distribución de temperatura para promover la sublimación del bloque fuente y el crecimiento de monocristales. Un control adecuado de la temperatura permite lograr una calidad cristalina y una tasa de crecimiento óptimas.

5. Control de la atmósfera: Durante el proceso de sublimación, también es necesario controlar la atmósfera de reacción. Generalmente, se utiliza un gas inerte de alta pureza (como el argón) como gas portador para mantener la presión y la pureza adecuadas y evitar la contaminación por impurezas.

6. Crecimiento monocristalino: La fuente de bloques de CVD-SiC experimenta una transición de fase de vapor durante el proceso de sublimación y se recondensa en la superficie del sustrato para formar una estructura monocristalina. El crecimiento rápido de los monocristales de SiC se puede lograr mediante condiciones de sublimación adecuadas y control del gradiente de temperatura.