Neach-dèanamh Sìona SiC còmhdaichte le grafait MOCVD Epitaxy Susceptor

Ìomhaigh Sònraichte de Ghlacadair Epitaxy MOCVD le Graphite Còmhdaichte SiC bho Neach-dèanamh Sìona

Tuairisgeul Goirid:

Purrachd <5ppm
‣ Deagh chothromachadh dopaidh
‣ Dùmhlachd agus greamachadh àrd
‣ Deagh dhìon an aghaidh creimeadh agus gualain

‣ Gnàthachadh proifeasanta
‣ Ùine luaidhe goirid
‣ Solar seasmhach
‣ Smachd càileachd agus leasachadh leantainneach

Epitaxis GaN air Sapphire(RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxis GaN air fo-strat Si(UVC);
Epitaxis GaN air fo-strat Si(Inneal Dealanach);
Epitaxis Si air Fo-strat Si(Cuairt amalaichte);
Epitaxis SiC air fo-strat SiC(Fo-strat);
Epitaxis InP air InP

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

Ceannach air-loidhne MOCVD Susceptor àrd-inbhe ann an Sìona

Feumaidh wafer grunn cheumannan a ghabhail mus bi e deiseil airson a chleachdadh ann an innealan dealanach. Is e epitaxy silicon aon phròiseas cudromach, anns a bheil na wafers air an giùlan air glacadairean grafait. Tha buaidh chudromach aig feartan agus càileachd nan glacadairean air càileachd sreath epitaxial an wafer.

Airson ìrean tasgadh film tana leithid epitaxy no MOCVD, bidh VET a’ toirt seachad uidheamachd grafait fìor-ghlan a thathas a’ cleachdadh gus taic a thoirt do shubstratan no “wafers”. Aig cridhe a’ phròiseis, bidh an uidheamachd seo, glacadairean epitaxy no àrd-ùrlaran saideal airson an MOCVD, air an cur fo àrainneachd tasgadh an toiseach:

● Teòthachd àrd.
● Falamh àrd.
● Cleachdadh ro-ruithearan gasach ionnsaigheach.
● Gun thruailleadh, gun rùsgadh.
● A’ seasamh an aghaidh searbhagan làidir rè obair glanaidh

’S e VET Energy an fhìor neach-dèanamh de thoraidhean grafait is silicon carbide gnàthaichte le còmhdach airson gnìomhachas leth-chonnsachaidh is photovoltaic. Tha an sgioba theicnigeach againn a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, agus is urrainn dhaibh fuasglaidhean stuthan nas proifeiseanta a thoirt dhut.

Bidh sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad, agus tha sinn air teicneòlas peutant sònraichte obrachadh a-mach, a dh’ fhaodas an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teinne agus nas lugha de chothrom ann gun tèid e às a chèile.

Feartan ar bathar:

1. Frith-aghaidh ocsaideachaidh aig teòthachd àrd suas gu 1700 ℃.
2. Glanachd àrd agus aonfhoirmeachd teirmeach
3. Frith-aghaidh creimeadh sàr-mhath: searbhag, alcalan, salann agus ath-bheachdan organach.
4. Cruas àrd, uachdar dlùth, mìrean mìne.
5. Beatha seirbheis nas fhaide agus nas seasmhaiche

CVD SiC Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdach
Seilbh	Luach Àbhaisteach
Structar criostail	Poile-chriostalach ìre β FCC, sa mhòr-chuid treòrachadh (111)
Dlùths	3.21 g/cm³
Cruas	Cruas 2500 Vickers (luchd 500g)
Meud Gràin	2 ~ 10μm
Purrachd Cheimigeach	99.99995%
Comas Teas	640 J·kg^-1·K^-1
Teòthachd Sublimation	2700℃
Neart Lùbadh	415 MPa RT 4-puing
Modúl Young	Lùb 430 Gpa 4pt, 1300℃
Seoltachd Teirmeach	300W·m^-1·K^-1
Leudachadh Teirmeach (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1