Glacadair wafer le còmhdach TaC airson G5 G10

Tha glacadair wafer còmhdach tantalum carbide (TaC) CVD, a chaidh a leasachadh gu neo-eisimeileach le VET Energy, air a dhealbhadh airson suidheachaidhean obrach cruaidh leithid saothrachadh leth-chonnsachaidh, fàs wafer epitaxial LED (MOCVD), fùirneis fàs criostail, làimhseachadh teas falamh aig teòthachd àrd, msaa. Tro theicneòlas tasgadh smùid ceimigeach (CVD), tha còmhdach tantalum carbide dùmhail is èideadh air a chruthachadh air uachdar an t-substrate grafait, a’ toirt seasmhachd teòthachd ultra-àrd don treidhe (>3000 ℃), strì an aghaidh creimeadh meatailt leaghte, strì an aghaidh clisgeadh teirmeach agus feartan truailleadh ìosal, a’ leudachadh beatha na seirbheis gu mòr.

Na buannachdan teicnigeach againn:
1. Seasmhachd teòthachd fìor àrd.
Puing Leaghaidh 3880°C: Faodaidh còmhdach tantalum carbide obrachadh gu leantainneach agus gu seasmhach os cionn 2500°C, fada nas àirde na teòthachd lobhadh 1200-1400°C còmhdach silicon carbide (SiC) àbhaisteach.
An aghaidh clisgeadh teirmeach: Tha co-èifeachd leudachaidh teirmeach a’ chòmhdaich a’ freagairt ri co-èifeachd leudachaidh teirmeach an t-substrate grafait (6.6 × 10 -6 /K), agus faodaidh e seasamh ri cuairtean àrdachadh is tuiteam teòthachd luath le eadar-dhealachadh teòthachd nas motha na 1000 ° C gus casg a chuir air sgàineadh no tuiteam dheth.
Feartan meacanaigeach teòthachd àrd: Ruigidh cruas a’ chòmhdaich 2000 HK (cruas Vickers) agus is e 537 GPa am modúl elastagach, agus tha e fhathast a’ cumail suas neart structarail sàr-mhath aig teòthachd àrd.

2. Gu math dìonach an aghaidh creimeadh gus dèanamh cinnteach à purrachd a’ phròiseis
Seasmhachd sàr-mhath: Tha seasamh sàr-mhath aige ri gasaichean creimneach leithid H₂, NH₃, SiH₄, HCl agus meatailtean leaghte (me Si, Ga), a’ dealachadh an t-substrate grafait gu tur bhon àrainneachd ath-ghnìomhach agus a’ seachnadh truailleadh gualain.
Imrich neo-ghlainead ìosal: purrachd fìor àrd, a’ cur bacadh èifeachdach air imrich naitridean, ogsaidean agus neo-ghlaineadan eile chun chriostail no an t-sreath epitaxial, a’ lughdachadh ìre locht microtubes le barrachd air 50%.

3. Mionaideachd nano-ìre gus cunbhalachd pròiseas a leasachadh
Co-ionannachd còmhdach: fulangas tighead ≤ ± 5%, ruigidh rèidh an uachdair ìre nanometer, a’ dèanamh cinnteach à cunbhalachd àrd ann am paramadairean fàis wafer no criostail, mearachd co-ionannachd teirmeach <1%.
Cruinneas tomhasach: a’ toirt taic do ghnàthachadh fulangas ±0.05mm, ag atharrachadh gu wafers 4-òirleach gu 12-òirleach, agus a’ coinneachadh ri feumalachdan eadar-aghaidhean uidheamachd àrd-chruinneas.

4. Maireannach agus seasmhach, a’ lughdachadh chosgaisean iomlan
Neart ceangail: Tha an neart ceangail eadar an còmhdach agus an t-substrate grafait ≥5 MPa, a tha an aghaidh bleith is caitheamh, agus tha am beatha seirbheis air a leudachadh barrachd air 3 uiread.

Co-chòrdalachd Inneal
Freagarrach airson uidheamachd fàis criostail is epitaxial prìomh-shruthach leithid CVD, MOCVD, ALD, LPE, msaa., a’ còmhdach fàs criostail SiC (dòigh PVT), epitaxy GaN, ullachadh fo-strat AlN agus suidheachaidhean eile.
Bidh sinn a’ toirt seachad measgachadh de chumaidhean glacaidh leithid còmhnard, concave, convex, msaa. Faodar an tighead (5-50mm) agus cruth an tuill suidheachaidh atharrachadh a rèir structar a’ chuas gus co-chòrdalachd gun fhiosta leis an uidheamachd a choileanadh.

Prìomh Thagraidhean:
Fàs criostail SiC: Anns an dòigh PVT, faodaidh an còmhdach sgaoileadh an raoin teirmeach a bharrachadh, lochdan oir a lughdachadh, agus farsaingeachd fàis èifeachdach a’ chriostail a mheudachadh gu còrr air 95%.
Epitaxy GaN: Anns a’ phròiseas MOCVD, tha mearachd aonfhoirmeachd teirmeach an glacadair <1%, agus tha cunbhalachd tighead an t-sreath epitaxial a’ ruighinn ±2%.
Ullachadh fo-strat AlN: Anns an ath-bhualadh aminachaidh aig teòthachd àrd (>2000°C), faodaidh an còmhdach TaC an fo-strat grafait a sgaradh gu tur, truailleadh gualain a sheachnadh, agus purrachd criostal AlN a leasachadh.