Pròiseas fàis criostail silicon carbide agus teicneòlas uidheamachd

1. Slighe teicneòlais fàs criostail SiC

PVT (dòigh fo-mheudachaidh),

HTCVD (CVD teòthachd àrd),

LPE(dòigh ìre leaghaidh)

tha trì cumantaCriostal SiCdòighean fàis;

Is e an dòigh PVT an dòigh as aithnichte sa ghnìomhachas, agus tha còrr is 95% de chriostalan singilte SiC air am fàs leis an dòigh PVT;

GnìomhachaisCriostal SiCBidh fùirneis fàis a’ cleachdadh slighe teicneòlais PVT prìomh-shruthach a’ ghnìomhachais.

2. Pròiseas fàis criostail SiC

Co-chur pùdar - làimhseachadh criostail sìl - fàs criostail - annealing ingot -uaiflegiullachd.

3. Modh PVT airson fàscriostalan SiC

Tha an stuth amh SiC air a chur aig bonn a’ chriostail grafait, agus tha criostal sìl SiC aig mullach a’ chriostail grafait. Le bhith ag atharrachadh an insulation, tha an teòthachd aig an stuth amh SiC nas àirde agus tha an teòthachd aig a’ chriostal sìl nas ìsle. Bidh an stuth amh SiC aig teòthachd àrd a’ fàs nas ìsle agus a’ lobhadh gu stuthan ìre gasach, a thèid a ghiùlan chun chriostail sìl aig teòthachd nas ìsle agus a’ criostalachadh gus criostalan SiC a chruthachadh. Tha trì pròiseasan sa phròiseas fàis bunaiteach: lobhadh agus fàs nas ìsle stuthan amh, gluasad mais, agus criostalachadh air criostalan sìl.

Lobhadh agus fo-mhilleadh stuthan amh:

SiC(S) = Si(g) + C(S)

2SiC(S) = Si(g) + SiC2(g)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

Rè gluasad mais, bidh ceò Si ag ath-fhreagairt tuilleadh le balla a’ chrioch grafait gus SiC2 agus Si2C a chruthachadh:

Si(g)+2C(S) =SiC2(g)

2Si(g) + C(S) = Si2C(g)

Air uachdar criostal an t-sìl, bidh na trì ìrean gas a’ fàs tron dà fhoirmle a leanas gus criostalan silicon carbide a chruthachadh:

SiC2_(g)+Si2C_(g)=3SiC_(ean)

Si_(g)+SiC2_(g)=2SiC_(S)

4. Modh PVT airson slighe teicneòlais uidheamachd fàs criostail SiC fhàs

An-dràsta, tha teasachadh inntrigidh na dhòigh theicneòlais chumanta airson àmhainnean fàis criostail SiC le dòigh PVT;

Is e teasachadh inntrigidh taobh a-muigh coil agus teasachadh strì an aghaidh grafait stiùireadh leasachaidhCriostal SiCàmhainnean fàis.

5. Fùirneis fàis teasachaidh inntrigidh SiC 8-òirleach

(1) A’ teasachadh ancrùiseag grafait eileamaid teasachaidhtro inntrigeadh achaidh magnetach; a’ riaghladh an achaidh teòthachd le bhith ag atharrachadh cumhachd teasachaidh, suidheachadh a’ choilich, agus structar an inslitheachaidh;

(2) A’ teasachadh a’ chrioch grafait tro theasachadh strì grafait agus giùlan rèididheachd teirmeach; a’ cumail smachd air an raon teòthachd le bhith ag atharrachadh sruth an teasadair grafait, structar an teasadair, agus smachd sruth na sòn;