Teknolojian'ny fitomboan'ny kristaly karbida silikônina sy fitaovana

1. Lalan'ny teknolojia fitomboan'ny kristaly SiC

PVT (fomba fanalefahana),

HTCVD (CVD amin'ny mari-pana avo),

LPE(fomba fiasa amin'ny dingana ranoka)

telo no iraisanaKristaly SiCfomba fitomboana;

Ny fomba PVT no fomba ekena indrindra amin'ny indostria, ary mihoatra ny 95% amin'ny kristaly SiC tokana no ambolena amin'ny alàlan'ny fomba PVT;

mandrosoKristaly SiCMampiasa ny teknolojia PVT mahazatra indrindra amin'ny indostria ny growth furnace.

2. Fizotry ny fitomboan'ny kristaly SiC

Famoronana vovoka - fitsaboana kristaly voa - fitomboan'ny kristaly - fanafanana ingot -mofo manifyfanodinana.

3. Fomba fambolena PVTKristaly SiC

Apetraka eo amin'ny farany ambanin'ny lafaoro grafita ny akora manta SiC, ary eo an-tampon'ny lafaoro grafita ny kristaly voan'ny SiC. Amin'ny alàlan'ny fanitsiana ny insulation, dia miakatra ny mari-pana ao amin'ny akora manta SiC ary midina ny mari-pana ao amin'ny kristaly voan'ny zavamaniry. Amin'ny mari-pana avo dia miempo sy mivaingana ho lasa akora misy entona ny akora manta SiC, izay entina any amin'ny kristaly voan'ny zavamaniry amin'ny mari-pana ambany kokoa ary mivaingana mba hamorona kristaly SiC. Ny dingana fototra amin'ny fitomboana dia misy dingana telo: ny fivaingana sy ny fanalefahana ny akora manta, ny famindrana faobe, ary ny kristaly amin'ny kristaly voan'ny zavamaniry.

Faharavan'ny akora fototra sy fanalefahana azy:

SiC(S)= Si(g)+C(S)

2SiC(S)= Si(g)+ SiC2(g)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

Mandritra ny famindrana faobe, ny etona Si dia mihetsika bebe kokoa amin'ny rindrin'ny lafaoro grafita mba hamorona SiC2 sy Si2C:

Si(g)+2C(S) =SiC2(g)

2Si(g) +C(S)=Si2C(g)

Eo amin'ny velaran'ny kristaly voa, ireo dingana entona telo dia mitombo amin'ny alalan'ireto raikipohy roa manaraka ireto mba hamoronana kristaly silikônina karbida:

SiC2_(g)+Si2C_(g)=3SiC_(s)

Si_(g)+SiC2_(g)=2SiC_(S)

4. Fomba PVT hampitomboana ny kristaly SiC amin'ny alalan'ny teknolojia

Amin'izao fotoana izao, ny fanafanana induction dia fomba teknolojia mahazatra ho an'ny lafaoro fitomboan'ny kristaly SiC fomba PVT;

Ny fanafanana induction ivelany coil sy ny fanafanana fanoherana grafita no lalana fampandrosoanaKristaly SiClafaoro fitomboana.

5. Lafaoro fampitomboana fanafanana induction SiC 8-inch

(1) Fanafanana nyvilany fandrahoana grafita singa fanafananaamin'ny alalan'ny induction andriamby; mandrindra ny sehatry ny mari-pana amin'ny alalan'ny fanitsiana ny herin'ny fanafanana, ny toerana misy ny coil, ary ny rafitra insulation;

(2) Fanafanana ny lafaoro grafita amin'ny alàlan'ny fanafanana manohitra grafita sy ny fitarihana taratra mafana; fanaraha-maso ny sehatry ny mari-pana amin'ny alàlan'ny fanitsiana ny fikorianan'ny herinaratra ao amin'ny fanafanana grafita, ny rafitry ny fanafanana, ary ny fanaraha-maso ny fikorianan'ny herinaratra ao amin'ny faritra;