ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်ပစ္စည်းကိရိယာနည်းပညာ

၁။ SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနည်းပညာလမ်းကြောင်း

PVT (sublimation နည်းလမ်း)၊

HTCVD (အပူချိန်မြင့် CVD)၊

LPE(အရည်အဆင့်နည်းလမ်း)

သုံးမျိုးဘုံဖြစ်သည်SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများ;

လုပ်ငန်းတွင် အအသိအမှတ်ပြုခံရဆုံးနည်းလမ်းမှာ PVT နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး SiC single crystals များ၏ 95% ကျော်ကို PVT နည်းလမ်းဖြင့် ကြီးထွားစေသည်။

စက်မှုထွန်းကားသောSiC ပုံဆောင်ခဲgrowth furnace သည် လုပ်ငန်း၏ အဓိက PVT နည်းပညာလမ်းကြောင်းကို အသုံးပြုသည်။

၂။ SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်

အမှုန့်ပေါင်းစပ်ခြင်း- မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲပြုပြင်ခြင်း- ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားခြင်း- အခဲတုံးများကို အပူပေးခြင်းဖြင့် အပူပေးခြင်း-ဝေဖာလုပ်ဆောင်ခြင်း။

၃။ ကြီးထွားရန် PVT နည်းလမ်းSiC ပုံဆောင်ခဲများ

SiC ကုန်ကြမ်းကို ဂရပ်ဖိုက်ခရုစဘယ်၏အောက်ခြေတွင်ထားပြီး SiC မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲကို ဂရပ်ဖိုက်ခရုစဘယ်၏ထိပ်တွင်ထားသည်။ လျှပ်ကာကိုချိန်ညှိခြင်းဖြင့် SiC ကုန်ကြမ်းရှိအပူချိန်သည်ပိုမိုမြင့်မားပြီး မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲရှိအပူချိန်နိမ့်သည်။ အပူချိန်မြင့်မားသော SiC ကုန်ကြမ်းသည် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်ပစ္စည်းများအဖြစ်သို့ ပျော့ပြောင်းပြီး ပြိုကွဲသွားကာ ၎င်းတို့ကို အပူချိန်နိမ့်သော မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲသို့ ပို့ဆောင်ပြီး SiC ပုံဆောင်ခဲများဖွဲ့စည်းရန် ပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အခြေခံကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် လုပ်ငန်းစဉ်သုံးခုပါဝင်သည်- ကုန်ကြမ်းများပြိုကွဲခြင်းနှင့် အပျော့ပြောင်းခြင်း၊ အစုလိုက်အပြုံလိုက်လွှဲပြောင်းခြင်းနှင့် မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲများပေါ်တွင် ပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်စေခြင်း။

ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ ပြိုကွဲခြင်းနှင့် အပျော့စားဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း-

SiC(S)= Si(g)+C(S)

၂SiC(S)= Si(g)+ SiC2(g)

၂SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

ဒြပ်ထုလွှဲပြောင်းမှုအတွင်း Si အငွေ့သည် ဂရပ်ဖိုက် crucible နံရံနှင့် ထပ်မံဓာတ်ပြုပြီး SiC2 နှင့် Si2C ကို ဖွဲ့စည်းသည်-

Si(g)+2C(S) = SiC2(g)

၂Si(g) +C(S)=Si2C(g)

အစေ့ပုံဆောင်ခဲ၏ မျက်နှာပြင်တွင်၊ ဓာတ်ငွေ့အဆင့်သုံးဆင့်သည် အောက်ပါဖော်မြူလာနှစ်ခုမှတစ်ဆင့် ကြီးထွားလာပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများကို ထုတ်လုပ်သည်-

SiC2_(ဆ)+Si2C_(ဆ)=၃SiC_{(များ)}

Si_(ဆ)+SiC2_(ဆ)=၂ ဆစ်ကလစ်စီ_{(များ)}

၄။ SiC ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားရန် PVT နည်းလမ်း

လက်ရှိတွင် induction အပူပေးခြင်းသည် PVT နည်းလမ်း SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖိုများအတွက် အသုံးများသောနည်းပညာလမ်းကြောင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

ကွိုင်ပြင်ပ induction အပူပေးခြင်းနှင့် ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်အပူပေးခြင်းသည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၏ ဦးတည်ရာဖြစ်သည်SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုမီးဖိုများ။

၅။ ၈ လက်မ SiC induction အပူပေးစက်ကြီးထွားမှုမီးဖို

(၁) အပူပေးခြင်းဂရပ်ဖိုက် ခွက် အပူပေးဒြပ်စင်သံလိုက်စက်ကွင်း လှုံ့ဆော်မှုမှတစ်ဆင့်၊ အပူပေးစွမ်းအား၊ ကွိုင်အနေအထားနှင့် လျှပ်ကာဖွဲ့စည်းပုံကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် အပူချိန်စက်ကွင်းကို ထိန်းညှိပေးသည်။

(၂) ဂရပ်ဖိုက်ခုခံအပူပေးခြင်းနှင့် အပူရောင်ခြည်စီးကူးခြင်းမှတစ်ဆင့် ဂရပ်ဖိုက်ခွက်ကို အပူပေးခြင်း။ ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်၏ လျှပ်စီးကြောင်း၊ အပူပေးစက်၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဇုန်လျှပ်စီးကြောင်းထိန်းချုပ်မှုကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် အပူချိန်စက်ကွင်းကို ထိန်းချုပ်ခြင်း။