Кремний карбиды кристалларын үстерү процессы һәм җиһазлар технологиясе

1. SiC кристалларын үстерү технологиясе юлы

PVT (сублимация ысулы),

HTCVD (югары температуралы CVD),

LPE(сыек фаза ысулы)

өч уртак нәрсә барSiC кристалыүсеш ысуллары;

Сәнәгатьтә иң танылган ысул - ПВТ ысулы, һәм SiC монокристалларының 95% тан артыгы ПВТ ысулы белән үстерелә;

СәнәгатьләштерелгәнSiC кристалыүсеш миче сәнәгатьнең төп ПВТ технологиясен куллана.

2. SiC кристаллларын үстерү процессы

Порошок синтезы - кристалл орлыгын эшкәртү - кристалл үстерү - скотчларны җылыту -вафлиэшкәртү.

3. PVT үстерү ысулыSiC кристаллары

SiC чималы графит тигеленең аскы өлешенә, ә SiC орлык кристаллы графит тигеленең өске өлешенә урнаштырыла. Изоляцияне көйләү нәтиҗәсендә, SiC чималындагы температура югарырак, ә орлык кристаллындагы температура түбәнрәк була. Югары температурада SiC чималы сублимацияләнә һәм газ фазасындагы матдәләргә таркала, алар түбәнрәк температура белән орлык кристаллына күчерелә һәм SiC кристалларын барлыкка китереп кристаллаша. Төп үсеш процессы өч процессны үз эченә ала: чималның таркалуы һәм сублимациясе, масса күчерү һәм орлык кристаллларында кристаллашу.

Чималның таркалуы һәм сублимациясе:

SiC(S)= Si(g)+C(S)

2SiC(S)= Si(g)+ SiC2(g)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

Масса күчерү вакытында Si пары графит тигель стенасы белән реакциягә кереп, SiC2 һәм Si2C барлыкка китерә:

Si(g)+2C(S) =SiC2(g)

2Si(g) +C(S)=Si2C(g)

Орлык кристалы өслегендә өч газ фазасы түбәндәге ике формула буенча үсә һәм кремний карбиды кристалларын барлыкка китерә:

SiC2_(g)+Si2C_(g)=3SiC_(лар)

Si_(g)+SiC2_(g)=2SiC_(S)

4. SiC кристалларын үстерү өчен PVT ысулы, үстерү җиһазлары технологиясе маршруты

Хәзерге вакытта индукцион җылыту PVT ысулы белән SiC кристалл үстерү мичләре өчен киң таралган технологик юл булып тора;

Катушканың тышкы индукцион җылытуы һәм графит каршылыклы җылыту үсеш юнәлеше булып тораSiC кристалыүстерү мичләре.

5. 8 дюймлы SiC индукцион җылыту үсү миче

(1) Җылытуграфит тигеле җылыту элементымагнит кыры индукциясе аша; җылыту көчен, катушка торышын һәм изоляция структурасын көйләү юлы белән температура кырын көйләү;

(2) Графит тигелен графит каршылыгы белән җылыту һәм җылылык нурланышы үткәрүчәнлеге аша җылыту; графит җылыткычның тогын, җылыткычның структурасын һәм зона тогын көйләү юлы белән температура кырын контрольдә тоту;