Kristal sèl SiC a se yon materyèl semi-kondiktè konpoze Gwoup IV-IV ki konpoze de de eleman, Si ak C, nan yon rapò estekiyometrik 1:1. Dite li se dezyèm sèlman apre dyaman.
Metòd rediksyon kabòn nan oksid Silisyòm pou prepare SiC a baze sitou sou fòmil reyaksyon chimik sa a:
Pwosesis reyaksyon rediksyon kabòn nan oksid Silisyòm lan relativman konplèks, kote tanperati reyaksyon an afekte dirèkteman pwodwi final la.
Nan pwosesis preparasyon carbure Silisyòm nan, yo mete matyè premyè yo nan yon founo rezistans anvan tout bagay. Founo rezistans lan gen mi nan tou de bout yo, ak yon elektwòd grafit nan sant la, epi nwayo founo a konekte de elektwòd yo. Sou periferi nwayo founo a, yo mete matyè premyè ki patisipe nan reyaksyon an anvan tout bagay, epi answit yo mete materyèl yo itilize pou prezèvasyon chalè a sou periferi a. Lè fizyon an kòmanse, founo rezistans lan resevwa enèji epi tanperati a monte a 2,600 a 2,700 degre Sèlsiyis. Enèji chalè elektrik la transfere nan chaj la atravè sifas nwayo founo a, sa ki lakòz li chofe piti piti. Lè tanperati chaj la depase 1450 degre Sèlsiyis, yon reyaksyon chimik rive pou jenere carbure Silisyòm ak gaz monoksid kabòn. Pandan pwosesis fizyon an ap kontinye, zòn tanperati ki wo nan chaj la ap elaji piti piti, epi kantite carbure Silisyòm ki pwodui a ap ogmante tou. Karbide Silisyòm ap fòme kontinyèlman nan founo a, epi atravè evaporasyon ak mouvman, kristal yo grandi piti piti epi evantyèlman rasanble nan kristal silendrik.
Yon pati nan miray enteryè kristal la kòmanse dekonpoze akòz tanperati ki wo a ki depase 2,600 degre Sèlsiyis. Eleman Silisyòm ki pwodui pa dekonpozisyon an pral rekombine ak eleman kabòn ki nan chaj la pou fòme nouvo karbid Silisyòm.
Lè reyaksyon chimik carbure Silisyòm (SiC) la fini epi founo a refwadi, pwochen etap la ka kòmanse. Premyèman, yo demonte mi founo a, epi answit yo chwazi matyè premyè yo nan founo a epi yo klase yo kouch pa kouch. Yo kraze matyè premyè yo chwazi pou jwenn materyèl granulaire nou vle a. Apre sa, yo retire enpurte nan matyè premyè yo atravè lave ak dlo oswa netwayaj ak solisyon asid ak alkali, ansanm ak separasyon mayetik ak lòt metòd. Matyè premyè netwaye yo bezwen seche epi answit pase nan paswa ankò, epi finalman yo ka jwenn poud carbure Silisyòm pi. Si sa nesesè, yo ka trete poud sa yo plis dapre itilizasyon aktyèl la, tankou fòme oswa moulen amann, pou pwodui poud carbure Silisyòm ki pi rafine.
Men etap espesifik yo:
(1) Matyè premyè
Mikwo poud carbure Silisyòm vèt la pwodui lè yo kraze carbure Silisyòm vèt ki pi koryas la. Konpozisyon chimik carbure Silisyòm nan ta dwe pi gran pase 99%, epi kabòn lib ak oksid fè ta dwe mwens pase 0.2%.
(2) Kase
Pou kraze sab carbure Silisyòm an poud amann, gen de metòd yo itilize kounye a nan Lachin, youn se kraze moulen boul mouye tanzantan, epi lòt la se kraze lè l sèvi avèk yon moulen poud koule lè.
(3) Separasyon mayetik
Kèlkeswa metòd yo itilize pou kraze poud carbure Silisyòm an poud amann, yo anjeneral itilize separasyon mayetik mouye ak separasyon mayetik mekanik. Sa a se paske pa gen pousyè pandan separasyon mayetik mouye a, materyèl mayetik yo separe nèt, pwodwi a apre separasyon mayetik la gen mwens fè, epi poud carbure Silisyòm ke materyèl mayetik yo retire a mwens tou.
(4) Separasyon dlo
Prensip debaz metòd separasyon dlo a se sèvi ak diferan vitès depozisyon patikil carbure Silisyòm ki gen diferan dyamèt nan dlo pou fè klasman gwosè patikil yo.
(5) Tès depistaj ultrasonik
Avèk devlopman teknoloji ultrasons, li te lajman itilize tou nan tès depistaj ultrasons nan teknoloji mikwo-poud, ki ka fondamantalman rezoud pwoblèm tès depistaj tankou gwo adsorption, aglomerasyon fasil, gwo elektrisite estatik, gwo rafinman, gwo dansite, ak gravite espesifik limyè.
(6) Enspeksyon kalite
Enspeksyon kalite mikwopoud la gen ladan konpozisyon chimik, konpozisyon gwosè patikil ak lòt bagay. Pou metòd enspeksyon ak estanda kalite, tanpri al gade "Kondisyon Teknik Silisyòm Karbid".
(7) Pwodiksyon pousyè fanm k'ap pile
Apre yo fin gwoupe epi pase mikwo-poud lan nan yon paswa, yo ka itilize tèt materyèl la pou prepare poud moulen. Pwodiksyon poud moulen an ka diminye gaspiyaj epi pwolonje chèn pwodwi a.
Dat piblikasyon: 13 Me 2024