د SiC واحد کرسټال د ګروپ IV-IV مرکب سیمیکمډکټر مواد دی چې د دوه عناصرو، Si او C څخه جوړ شوی، د 1:1 په سټوچیومیټریک تناسب کې. د دې سختۍ د الماس وروسته دوهم ځای لري.
د سیلیکون اکسایډ د کاربن کمولو طریقه د SiC چمتو کولو لپاره په عمده توګه د لاندې کیمیاوي تعامل فورمول پر بنسټ والړ ده:
د سیلیکون اکسایډ د کاربن کمولو د تعامل پروسه نسبتا پیچلې ده، په کوم کې چې د تعامل تودوخه په مستقیم ډول په وروستي محصول اغیزه کوي.
د سیلیکون کاربایډ د چمتو کولو په پروسه کې، خام مواد لومړی په مقاومتي فرنس کې ځای پر ځای کیږي. د مقاومت فرنس په دواړو سرونو کې د پای دیوالونو څخه جوړ دی، په مرکز کې د ګرافایټ الکترود سره، او د فرنس کور دوه الکترودونه سره نښلوي. د فرنس کور په څنډه کې، په غبرګون کې برخه اخیستونکي خام مواد لومړی ځای پر ځای کیږي، او بیا هغه مواد چې د تودوخې ساتنې لپاره کارول کیږي په څنډه کې ځای پر ځای کیږي. کله چې خړوبول پیل شي، د مقاومت فرنس انرژي کیږي او تودوخه له 2,600 څخه تر 2,700 درجو سانتي ګراد پورې لوړیږي. د بریښنا تودوخې انرژي د فرنس کور د سطحې له لارې چارج ته لیږدول کیږي، چې دا په تدریجي ډول تودوخه کوي. کله چې د چارج تودوخه له 1450 درجو سانتي ګراد څخه زیاته شي، د سیلیکون کاربایډ او کاربن مونو اکسایډ ګاز تولیدولو لپاره کیمیاوي تعامل رامینځته کیږي. لکه څنګه چې د خړوبولو پروسه دوام لري، په چارج کې د لوړې تودوخې ساحه به په تدریجي ډول پراخه شي، او د تولید شوي سیلیکون کاربایډ مقدار به هم زیات شي. سیلیکون کاربایډ په دوامداره توګه په فرنس کې جوړیږي، او د تبخیر او حرکت له لارې، کرسټالونه په تدریجي ډول وده کوي او بالاخره په سلنډر کرسټالونو کې راټولیږي.
د کرسټال د داخلي دیوال یوه برخه د 2,600 درجو سانتي ګراد څخه د لوړې تودوخې له امله تجزیه پیل کوي. د تجزیې له لارې تولید شوي سیلیکون عنصر به د چارج کې د کاربن عنصر سره یوځای شي ترڅو نوی سیلیکون کاربایډ جوړ کړي.
کله چې د سیلیکون کاربایډ (SiC) کیمیاوي تعامل بشپړ شي او فرنس سړه شي، نو بل ګام پیل کیدی شي. لومړی، د فرنس دیوالونه له مینځه وړل کیږي، او بیا په فرنس کې خام مواد غوره کیږي او په طبقه بندي کیږي. غوره شوي خام مواد د هغه دانه لرونکي موادو ترلاسه کولو لپاره مات شوي چې موږ یې غواړو. بیا، په خامو موادو کې ناپاکۍ د اوبو مینځلو یا د تیزاب او الکلي محلولونو سره پاکولو، او همدارنګه مقناطیسي جلا کولو او نورو میتودونو له لارې لرې کیږي. پاک شوي خام مواد باید وچ شي او بیا سکرین شي، او په پای کې خالص سیلیکون کاربایډ پوډر ترلاسه کیدی شي. که اړتیا وي، دا پوډرونه د اصلي کارونې سره سم نور پروسس کیدی شي، لکه شکل ورکول یا ښه پیس کول، ترڅو د سیلیکون کاربایډ پوډر ښه تولید کړي.
ځانګړي ګامونه په لاندې ډول دي:
(۱) خام مواد
د شنه سیلیکون کاربایډ مایکرو پوډر د خړ شنه سیلیکون کاربایډ د ماتولو له لارې تولید کیږي. د سیلیکون کاربایډ کیمیاوي ترکیب باید له 99٪ څخه ډیر وي، او وړیا کاربن او اوسپنه اکسایډ باید له 0.2٪ څخه کم وي.
(۲) مات شوی
د سیلیکون کاربایډ شګه د ښه پوډر جوړولو لپاره، اوس مهال په چین کې دوه طریقې کارول کیږي، یو یې د وقفې وقفې لوند بال مل کرش کول دي، او بل یې د هوا جریان پوډر مل په کارولو سره کرش کول دي.
(۳) مقناطیسي جلاوالی
مهمه نده چې د سیلیکون کاربایډ پوډر د ښه پوډر کولو لپاره کومه طریقه کارول کیږي، لوند مقناطیسي جلا کول او میخانیکي مقناطیسي جلا کول معمولا کارول کیږي. دا ځکه چې د لوند مقناطیسي جلا کولو پرمهال هیڅ دوړې شتون نلري، مقناطیسي مواد په بشپړ ډول جلا شوي، د مقناطیسي جلا کولو وروسته محصول لږ اوسپنه لري، او د مقناطیسي موادو لخوا اخیستل شوي سیلیکون کاربایډ پوډر هم لږ دی.
(۴) د اوبو جلا کول
د اوبو د جلا کولو د طریقې اساسي اصل دا دی چې په اوبو کې د مختلفو قطر لرونکو سیلیکون کاربایډ ذراتو د مختلفو ځای پرځای کولو سرعتونو څخه کار واخیستل شي ترڅو د ذراتو اندازه ترتیب شي.
(۵) الټراسونک سکرینینګ
د الټراسونک ټیکنالوژۍ پراختیا سره، دا د مایکرو پوډر ټیکنالوژۍ الټراسونک سکرینینګ کې هم په پراخه کچه کارول شوی، کوم چې کولی شي په بنسټیز ډول د سکرینینګ ستونزې حل کړي لکه قوي جذب، اسانه راټولیدل، لوړ جامد بریښنا، لوړ ښیښه، لوړ کثافت، او د رڼا ځانګړي جاذبه.
(6) د کیفیت تفتیش
د مایکرو پاؤډر کیفیت تفتیش کې کیمیاوي جوړښت، د ذراتو اندازه ترکیب او نور توکي شامل دي. د تفتیش میتودونو او کیفیت معیارونو لپاره، مهرباني وکړئ "سیلیکون کاربایډ تخنیکي شرایط" ته مراجعه وکړئ.
(۷) د دوړو تولید پیس کول
وروسته له دې چې مایکرو پوډر ګروپ او سکرین شي، د موادو سر د پیس کولو پوډر چمتو کولو لپاره کارول کیدی شي. د پیس کولو پوډر تولید کولی شي ضایعات کم کړي او د محصول سلسله پراخه کړي.
د پوسټ وخت: می-۱۳-۲۰۲۴