SiC монокристалы - 1:1 стехиометрик нисбәтендә ике элементтан, Si һәм Cдан торган IV-IV төркем катнашма ярымүткәргеч материал. Аның катылыгы алмаздан кала икенче урында тора.
SiC әзерләү өчен кремний оксидын углерод белән торгызу ысулы, нигездә, түбәндәге химик реакция формуласына нигезләнгән:
Кремний оксидын углерод белән торгызу реакциясе процессы чагыштырмача катлаулы, анда реакция температурасы соңгы продуктка турыдан-туры тәэсир итә.
Кремний карбидын әзерләү процессында чимал башта каршылыклы мичкә урнаштырыла. Каршылыклы мич ике очында да оч стеналардан тора, үзәгендә графит электроды урнашкан, ә мич үзәге ике электродны тоташтыра. Мич үзәгенең перифериясенә башта реакциядә катнашучы чимал урнаштырыла, аннары җылылыкны саклау өчен кулланыла торган материаллар перифериягә урнаштырыла. Эретү башлангач, каршылыклы мичкә энергия бирелә һәм температура 2600-2700 градус Цельсийга кадәр күтәрелә. Электр җылылык энергиясе мич үзәге өслеге аша зарядка күчерелә, бу аның әкренләп җылынуына китерә. Заряд температурасы 1450 градус Цельсийдан артканда, кремний карбиды һәм углерод монооксиды газы барлыкка китерү өчен химик реакция бара. Эретү процессы дәвам иткән саен, зарядтагы югары температуралы мәйдан әкренләп киңәя, һәм барлыкка килгән кремний карбиды күләме дә арта. Кремний карбиды мичтә өзлексез формалаша, һәм парга әйләнү һәм хәрәкәт аша кристаллар әкренләп үсә һәм ахыр чиктә цилиндрик кристалларга җыела.
Кристаллның эчке стенасының бер өлеше 2600 градус Цельсийдан артып киткән югары температура аркасында таркала башлый. Таркалу нәтиҗәсендә барлыкка килгән кремний элементы зарядтагы углерод элементы белән рекомбинацияләнеп, яңа кремний карбиды барлыкка китерәчәк.
Кремний карбидының (SiC) химик реакциясе тәмамлангач һәм мич суынгач, киләсе адым башланырга мөмкин. Башта мичнең стеналары сүтелә, аннары мичтәге чимал сайлана һәм катлам-катлам тигезләнә. Сайланган чимал кирәкле гранула материалын алу өчен ваклана. Аннары чималдагы катнашмалар су белән юу яки кислота һәм селте эретмәләре белән чистарту, шулай ук магнит аеру һәм башка ысуллар белән бетерелә. Чистартылган чималны киптерергә һәм аннары кабат эләктерергә кирәк, һәм ниһаять, саф кремний карбиды порошогы алырга мөмкин. Кирәк булса, бу порошокларны чын кулланылышына карап, мәсәлән, формага китерү яки вак тарту ярдәмендә вак кремний карбиды порошогы алырга мөмкин.
Конкрет адымнар түбәндәгечә:
(1) Чимал
Яшел кремний карбиды микропорошогы эрерәк яшел кремний карбидын ваклау юлы белән җитештерелә. Кремний карбидының химик составы 99% тан артык, ә ирекле углерод һәм тимер оксиды 0,2% тан кимрәк булырга тиеш.
(2) Ватык
Кытайда кремний карбиды комын вак порошокка ваклау өчен хәзерге вакытта ике ысул кулланыла: берсе - вакытлыча дымлы шарлы тегермән ваклау, икенчесе - һава агымы порошогы тегермәне ярдәмендә ваклау.
(3) Магнит аеру
Кремний карбиды порошогын вак порошокка ваклау өчен нинди ысул кулланылса да, гадәттә дымлы магнит аеру һәм механик магнит аеру кулланыла. Бу дымлы магнит аеру вакытында тузан булмау, магнит материаллары тулысынча аерылу, магнит аерудан соң продукт составында тимер азрак булу һәм магнит материаллары тарафыннан алынган кремний карбиды порошогы да азрак булу белән бәйле.
(4) Суны аеру
Суны аеру ысулының төп принцибы - суда төрле диаметрлы кремний карбид кисәкчәләренең төрле утыру тизлекләрен кулланып, кисәкчәләрнең зурлыгы буенча сортлау.
(5) УЗИ тикшерүе
Ультратавыш технологиясе үсеше белән, ул шулай ук микро-порошок технологиясен ультратавыш скринингында киң кулланыла башлады, бу көчле адсорбция, җиңел агломерация, югары статик электр, югары нечкәлек, югары тыгызлык һәм яктылыкның чагыштырма авырлыгы кебек скрининг проблемаларын чишә ала.
(6) Сыйфат тикшерүе
Микропорошок сыйфатын тикшерү химик составны, кисәкчәләр зурлыгы составын һәм башка элементларны үз эченә ала. Тикшерү ысуллары һәм сыйфат стандартлары өчен, зинһар, "Кремний карбиды техник шартлары"н карагыз.
(7) Шөртерү тузаннары барлыкка килү
Микропирог төркемләнгәннән һәм эләктерелгәннән соң, материал башын тарту порошогы әзерләү өчен кулланырга мөмкин. Тарту порошогы җитештерү калдыкларны киметергә һәм продукт чылбырын озынайтырга мөмкин.
Бастырылган вакыты: 2024 елның 13 мае