Wadah Wafer SiC 4″ 6″ 8″ untuk Tungku Horizontal

Wadah Wafer SiC 4" 6" 8" untuk Tungku Horizontal

Wadah wafer SiC untuk tungku horizontalFungsi utamanya adalah untuk menopang dan mengangkut wafer dalam proses termal suhu tinggi pada wafer semikonduktor seperti difusi, oksidasi, dan anil. Kinerjanya secara langsung memengaruhi kualitas produk wafer dan efisiensi produksi.

Desain struktural wadah wafer silikon karbida:
Biasanya memiliki struktur seperti celah atau sisir;
Beberapa slot untuk menempatkan dan memisahkan wafer;
Dirancang dengan mempertimbangkan distribusi aliran gas, memastikan pemanasan dan pendinginan yang seragam;
Cocok untuk tungku vertikal dan tungku horizontal;
Dirancang untuk berbagai ukuran seperti wafer 3 inci, 4 inci, 6 inci, 8 inci, dan 12 inci.

Wadah wafer silikon karbida VET Energy dibuat menggunakan teknologi sintering canggih dan dirancang khusus untuk memenuhi persyaratan pembawa proses yang ketat dalam manufaktur semikonduktor canggih. Keunggulan teknisnya terutama tercermin dalam aspek-aspek berikut:

1. Kemurnian Tertinggi dan Kontaminasi Sangat Rendah
Dengan menggunakan bahan baku dengan kemurnian sangat tinggi, kami memastikan produk memiliki kandungan ion logam yang sangat rendah (kurang dari 1 ppm untuk Na, K, Fe, dan Ca). Presipitasi minimal pada suhu tinggi secara efektif mencegah kontaminasi wafer, memastikan hasil dan keandalan chip yang tinggi, menjadikannya pilihan ideal bagi mereka yang berupaya mencapai kesempurnaan proses.
2. Kinerja dan Stabilitas Termal yang Unggul
Wadah wafer SiC kami memiliki konduktivitas termal yang sangat tinggi dan ketahanan terhadap guncangan termal yang sangat baik. Wadah ini dapat menahan fluktuasi suhu yang cepat dari suhu ruangan hingga 1600℃ tanpa retak atau deformasi, memastikan pengulangan dan konsistensi proses, serta secara signifikan mengurangi waktu henti yang tidak direncanakan akibat masalah pada wadah.
3. Ketahanan Korosi dan Kekuatan Mekanik yang Luar Biasa
Kekerasan yang tinggi dan ketahanan aus yang kuat, serta ketahanan luar biasa terhadap lingkungan asam dan basa, jauh melampaui kuarsa dan grafit. Kekuatan mekaniknya yang luar biasa secara efektif mencegah pembentukan partikel selama penanganan otomatis yang sering, secara signifikan memperpanjang masa pakainya dan mengurangi biaya operasional secara keseluruhan.
4. Desain Presisi dan Konsistensi yang Unggul
Dengan memanfaatkan teknologi pencetakan dan pemrosesan tingkat lanjut, kami memastikan bahwa setiap wadah wafer memiliki dimensi geometris yang tepat dan akurasi permukaan yang sangat baik, sehingga menjamin jarak antar wafer yang seragam dan aliran udara yang stabil.

Pembersihan dan Perawatan Wafer Boat SiC:
Membutuhkan pembersihan rutin untuk menghilangkan endapan yang mungkin ada;
Menggunakan larutan dan metode pembersihan khusus untuk menghindari kerusakan;