Parahu Wafer SiC 4″ 6″ 8″ Pikeun Tungku Horisontal

Parahu Wafer SiC 4" 6" 8" Pikeun Tungku Horisontal

Parahu wafer SiC pikeun tungku horizontalUtamana pikeun ngadukung sareng ngangkut wafer dina prosés termal suhu luhur wafer semikonduktor sapertos difusi, oksidasi, sareng annealing. Kinerja na sacara langsung mangaruhan kualitas produk wafer sareng efisiensi produksi.

Desain struktural parahu wafer silikon karbida:
Biasana mibanda struktur anu bolong atanapi siga sisir;
Sababaraha liang pikeun nempatkeun sareng misahkeun wafer;
Dirancang pikeun mertimbangkeun distribusi aliran gas, mastikeun pemanasan sareng pendinginan anu seragam;
Cocog pikeun tungku nangtung sareng tungku horizontal;
Dirancang pikeun ukuran anu béda-béda sapertos wafer 3 inci, 4 inci, 6 inci, 8 inci, 12 inci.

Parahu wafer silikon karbida VET Energy didamel nganggo téknologi sintering canggih sareng dirancang khusus pikeun minuhan sarat pamawa prosés anu ketat tina manufaktur semikonduktor canggih. Kaunggulan téknis anu unggul utamina katingali dina aspék-aspék ieu:

1. Kamurnian Pamungkas sareng Kontaminasi Ultra-Leutik
Ngagunakeun bahan baku anu mibanda tingkat kemurnian ultra-luhur, kami mastikeun produk ieu ngagaduhan kandungan ion logam anu handap pisan (kirang ti 1 ppm pikeun Na, K, Fe, sareng Ca). Présipitasi minimal dina suhu anu luhur sacara efektif nyegah kontaminasi wafer, mastikeun hasil chip anu luhur sareng reliabilitasna, jantenkeun pilihan anu idéal pikeun anu narékahan pikeun kasampurnaan prosés.
2. Kinerja Termal sareng Stabilitas anu Saé
Parahu wafer SiC kami gaduh konduktivitas termal anu luhur pisan sareng résistansi kejut termal anu saé pisan. Éta tiasa tahan fluktuasi suhu anu gancang ti suhu kamar dugi ka 1600℃ tanpa retakan atanapi deformasi, mastikeun kabisaulangan sareng konsistensi prosés, sacara signifikan ngirangan downtime anu teu direncanakeun kusabab masalah operator.
3. Résistansi Korosi sareng Kakuatan Mékanis anu Luar Biasa
Karasa anu luhur sareng résistansi kana goresan anu kuat, sajaba ti résistansi anu luar biasa kana lingkungan asam sareng basa, jauh ngaleuwihan kuarsa sareng grafit. Kakuatan mékanisna anu luar biasa sacara efektif nyegah generasi partikel salami penanganan otomatis anu sering, sacara signifikan manjangkeun umur jasana sareng ngirangan biaya operasi sacara umum.
4. Desain Presisi sareng Konsistensi Anu Saé
Ngagunakeun téknologi cetakan sareng pamrosésan anu canggih, kami mastikeun yén unggal parahu wafer ngagaduhan diménsi géométri anu tepat sareng akurasi permukaan anu saé, pikeun mastikeun jarak wafer anu seragam sareng aliran hawa anu stabil.

Pembersihan sareng Pangropéa parahu wafer SiC:
Meryogikeun beberesih rutin pikeun miceun kokotor anu mungkin;
Ngagunakeun larutan sareng metode beberesih khusus pikeun nyegah karusakan;