Bot Wafer SiC 4″ 6″ 8″ Untuk Relau Mendatar

Bot Wafer SiC 4" 6" 8" Untuk Relau Mendatar

Bot wafer SiC untuk relau mendatarterutamanya untuk menyokong dan mengangkut wafer dalam proses terma suhu tinggi wafer semikonduktor seperti resapan, pengoksidaan dan penyepuhlindapan. Prestasinya secara langsung mempengaruhi kualiti produk wafer dan kecekapan pengeluaran.

Reka bentuk struktur bot wafer silikon karbida:
Biasanya mempunyai struktur berlubang atau seperti sikat;
Pelbagai slot untuk meletakkan dan memisahkan wafer;
Direka untuk mempertimbangkan pengagihan aliran gas, memastikan pemanasan dan penyejukan yang seragam;
Sesuai untuk relau menegak dan relau mendatar;
Direka untuk pelbagai saiz seperti wafer 3 inci, 4 inci, 6 inci, 8 inci, 12 inci.

Bot wafer silikon karbida VET Energy dihasilkan menggunakan teknologi pensinteran canggih dan direka khusus untuk memenuhi keperluan pembawa proses yang ketat bagi pembuatan semikonduktor canggih. Kelebihan teknikal unggulnya terutamanya tercermin dalam aspek berikut:

1. Ketulenan Terunggul dan Pencemaran Ultra Rendah
Menggunakan bahan mentah dengan ketulenan ultra tinggi, kami memastikan produk ini mempunyai kandungan ion logam yang sangat rendah (kurang daripada 1 ppm untuk Na, K, Fe dan Ca). Pemendakan minimum pada suhu tinggi berkesan mencegah pencemaran wafer, memastikan hasil cip yang tinggi dan kebolehpercayaan, menjadikannya pilihan ideal bagi mereka yang berusaha untuk mencapai kesempurnaan proses.
2. Prestasi dan Kestabilan Terma yang Cemerlang
Bot wafer SiC kami mempunyai kekonduksian terma yang sangat tinggi dan rintangan kejutan terma yang sangat baik. Ia boleh menahan turun naik suhu yang cepat dari suhu bilik hingga 1600℃ tanpa retak atau ubah bentuk, memastikan kebolehulangan dan konsistensi proses, sekali gus mengurangkan masa henti yang tidak dirancang dengan ketara disebabkan oleh masalah pembawa.
3. Rintangan Kakisan dan Kekuatan Mekanikal yang Luar Biasa
Kekerasan yang tinggi dan rintangan haus yang kuat, berserta rintangan yang luar biasa terhadap persekitaran berasid dan alkali, jauh mengatasi kuarza dan grafit. Kekuatan mekanikalnya yang luar biasa berkesan menghalang penjanaan zarah semasa pengendalian automatik yang kerap, memanjangkan hayat perkhidmatannya dengan ketara dan mengurangkan kos operasi keseluruhan.
4. Reka Bentuk Ketepatan dan Ketekalan Cemerlang
Dengan memanfaatkan teknologi pengacuan dan pemprosesan yang canggih, kami memastikan setiap bot wafer mempunyai dimensi geometri yang tepat dan ketepatan permukaan yang sangat baik, memastikan jarak wafer yang seragam dan aliran udara yang stabil.

Pembersihan dan Penyelenggaraan bot wafer SiC:
Memerlukan pembersihan berkala untuk menghilangkan potensi mendapan;
Menggunakan larutan dan kaedah pembersihan khusus untuk mengelakkan kerosakan;