ニュース

半導体プロセスフォトリソグラフィーの全プロセス
2016年7月24日 adminより
半導体製品の製造には数百もの工程が必要です。当社では、製造工程全体をウェハ処理、酸化、フォトリソグラフィー、エッチング、薄膜堆積、エピタキシャル成長、拡散、イオン注入の8つのステップに分けています。お客様のニーズに合わせて…
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40億ドル！SKハイニックス、パデュー・リサーチパークへの半導体先端パッケージング投資を発表
2009年7月24日 adminより
インディアナ州ウェストラファイエット – SKハイニックス社は、パデュー・リサーチパークに人工知能（AI）製品向けの先進的なパッケージ製造・研究開発施設を建設するため、約40億ドルを投資する計画を発表しました。ウェストラファイエットに米国半導体サプライチェーンの重要な拠点を確立することで…
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レーザー技術がシリコンカーバイド基板加工技術の変革をリード
管理者による 24-07-08
1. シリコンカーバイド基板加工技術の概要現在のシリコンカーバイド基板の加工手順には、外輪研削、スライス、面取り、研削、研磨、洗浄などがあります。スライスは半導体基板製造において重要な手順であり、主に...
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主流の熱場材料：C/C複合材料
2017年7月24日 adminより
炭素繊維複合材は、炭素繊維を強化材とし、堆積した炭素をマトリックス材とする炭素繊維複合材の一種です。C/C複合材のマトリックスは炭素です。ほぼ完全に元素炭素で構成されているため、優れた耐高温性を有します。
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SiC結晶成長の3つの主要技術
2017年7月24日 adminより
図3に示すように、高品質かつ高効率なSiC単結晶の製造を目的とした主要な技術は、液相エピタキシー（LPE）、物理気相輸送（PVT）、高温化学気相成長（HTCVD）の3つです。PVTはSiC単結晶の製造において確立されたプロセスであり、高温で成長させると、結晶構造が変化するため、結晶構造が複雑になります。
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第三世代半導体GaNおよび関連エピタキシャル技術の概要
2024年6月28日 adminより
1. 第三世代半導体第一世代半導体技術は、SiやGeなどの半導体材料をベースに開発されました。これは、トランジスタや集積回路技術の発展の材料的基盤となっています。第一世代半導体材料は、…
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235億ドル、蘇州のスーパーユニコーンがIPOへ
2024年6月28日 adminより
イノサイエンスは創業9年を経て、総額60億人民元を超える資金調達を達成し、企業価値は驚異の235億人民元に達しました。投資家リストには、福建ベンチャーキャピタル、東方国有資産、蘇州占益、五江など、数十社が名を連ねています。
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タンタルカーバイドコーティング製品はどのようにして材料の耐食性を高めるのでしょうか?
2024年6月25日 adminより
タンタルカーバイドコーティングは、材料の耐食性を大幅に向上させることができる、広く使用されている表面処理技術です。タンタルカーバイドコーティングは、化学蒸着法、物理的焼結法など、様々な前処理方法によって基材の表面に塗布できます。
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第三世代半導体GaNおよび関連エピタキシャル技術の紹介
2024年6月25日 adminより
1. 第三世代半導体第一世代半導体技術は、SiやGeなどの半導体材料を基盤として開発されました。これは、トランジスタや集積回路技術の発展における材料的基盤です。第一世代半導体材料は、次世代の半導体技術の礎を築きました。
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