-
Hallefleiterprozess komplette Prozess vun der Photolithographie
D'Produktioun vun all Hallefleederprodukt erfuerdert Honnerte vu Prozesser. Mir deelen de ganze Produktiounsprozess an aacht Schrëtt op: Waferveraarbechtung - Oxidatioun - Photolithographie - Ätzen - Dënnschichtoflagerung - Epitaxialwuesstem - Diffusioun - Ionenimplantatioun. Fir Iech ze hëllefen...Liest méi -
4 Milliarden! SK Hynix annoncéiert Investitioun an fortgeschratt Halbleiterverpackungen am Purdue Research Park
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. huet Pläng ugekënnegt, bal 4 Milliarden Dollar ze investéieren, fir eng fortgeschratt Verpackungsproduktiouns- a Fuerschungs- an Entwécklungsanlag fir kënschtlech Intelligenzprodukter am Purdue Research Park ze bauen. E Schlësselpunkt an der US-Halbleiter-Versuergungskette zu West Lafayette gëtt etabléiert...Liest méi -
Lasertechnologie féiert d'Transformatioun vun der Technologie vun der Veraarbechtung vu Siliziumkarbid-Substrater
1. Iwwersiicht iwwer d'Technologie vun der Veraarbechtung vu Siliziumcarbid-Substrater Déi aktuell Schrëtt vun der Veraarbechtung vu Siliziumcarbid-Substrater enthalen: Schleifen vum äusseren Krees, Schneiden, Ofschréien, Schleifen, Poléieren, Botzen, etc. Schneiden ass e wichtege Schrëtt an der Veraarbechtung vu Hallefleedersubstrater...Liest méi -
Mainstream thermesch Feldmaterialien: C/C Kompositmaterialien
Kuelestoff-Kuelestoff-Kompositmaterial sinn eng Zort Kuelefaser-Kompositmaterial, mat Kuelefaser als Verstäerkungsmaterial an ofgelagertem Kuelestoff als Matrixmaterial. D'Matrix vu C/C-Kompositmaterial besteet aus Kuelestoff. Well et bal komplett aus elementarem Kuelestoff besteet, huet et eng exzellent Héichtemperaturbeständegkeet...Liest méi -
Dräi Haapttechnike fir de SiC-Kristallwuesstum
Wéi an der Fig. 3 gewisen, ginn et dräi dominant Techniken, déi drop aus sinn, SiC-Eenkristaller mat héijer Qualitéit an Effizienz ze liwweren: Flëssegkeetsphase-Epitaxie (LPE), physikaleschen Dampftransport (PVT) an Héichtemperatur-chemesch Dampfoflagerung (HTCVD). PVT ass e gutt etabléierte Prozess fir d'Produktioun vu SiC-Sin...Liest méi -
Kuerz Aféierung am Halbleiter GaN vun der drëtter Generatioun a verwandte epitaktesch Technologie
1. Hallefleeder vun der drëtter Generatioun Déi éischt Hallefleedertechnologie gouf op Basis vu Hallefleedermaterialien wéi Si a Ge entwéckelt. Si ass d'Materialbasis fir d'Entwécklung vun Transistoren an integréierter Schaltungstechnologie. D'Halbleedermaterialien vun der éischter Generatioun hunn d'Grondlag geluecht...Liest méi -
23,5 Milliarden, Suzhou säi Super-Eenhoorn geet op den IPO
No 9 Joer Entrepreneurship huet Innoscience méi wéi 6 Milliarden Yuan u Finanzéierung gesammelt, an hir Bewäertung huet erstaunlech 23,5 Milliarden Yuan erreecht. D'Lëscht vun den Investisseuren ass sou laang wéi Dosende vu Firmen: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Liest méi -
Wéi verbesseren Tantalkarbid-beschichtete Produkter d'Korrosiounsbeständegkeet vu Materialien?
Tantalkarbidbeschichtung ass eng üblech Uewerflächenbehandlungstechnologie, déi d'Korrosiounsbeständegkeet vu Materialien däitlech verbessere kann. Tantalkarbidbeschichtung kann duerch verschidde Virbereedungsmethoden, wéi chemesch Dampfoflagerung, physesch..., op d'Uewerfläch vum Substrat befestegt ginn.Liest méi -
Aféierung an d'GaN Hallefleeder vun der drëtter Generatioun an déi domat verbonne epitaktesch Technologie
1. Hallefleeder vun der drëtter Generatioun Déi éischt Hallefleedertechnologie gouf op Basis vu Hallefleedermaterialien wéi Si a Ge entwéckelt. Si ass d'Materialbasis fir d'Entwécklung vun Transistoren an integréierter Schaltungstechnologie. Déi éischt Hallefleedermaterialien hunn d'Grondlag geluecht...Liest méi