1. Iwwersiicht vunSiliziumkarbid-SubstratVeraarbechtungstechnologie
Déi aktuellSiliziumkarbid-Substrat D'Veraarbechtungsschrëtt enthalen: de baussenzege Krees schleifen, schneiden, ofschränken, schleifen, poléieren, botzen, etc. D'Schneiden ass e wichtege Schrëtt an der Halbleitersubstratveraarbechtung an e Schlësselschratt bei der Ëmwandlung vum Barren an de Substrat. Am Moment gëtt d'Schneiden vunSiliziumkarbidsubstraterass haaptsächlech Drotschneiden. Méifachdrot-Schlammschneiden ass déi aktuell bescht Drotschneidmethod, awer et gëtt nach ëmmer Problemer mat schlechter Schnëttqualitéit a grousse Schnëttverloschter. De Verloscht beim Drotschneiden wäert mat der Zounimm vun der Substratgréisst zouhuelen, wat net fir d'Siliziumkarbid-SubstratHiersteller fir Käschtereduktiounen an Effizienzverbesserungen z'erreechen. Am Prozess vum Schnëtt8-Zoll Siliziumkarbid Substrater, d'Uewerflächenform vum Substrat, dat duerch Drotschneiden kritt gëtt, ass schlecht, an déi numeresch Charakteristiken wéi WARP a BOW si net gutt.
D'Schneiden ass e Schlësselschratt an der Fabrikatioun vu Hallefleedersubstrater. D'Industrie probéiert stänneg nei Schnëttmethoden aus, wéi Diamantdrotschneiden a Laserabstrippen. D'Laserabstripptechnologie ass an der leschter Zäit ganz gefrot. D'Aféierung vun dëser Technologie reduzéiert de Schnëttverloscht a verbessert d'Schnëtteffizienz vum technesche Prinzip aus. D'Laserabstrippléisung stellt héich Ufuerderungen un den Niveau vun der Automatiséierung a brauch eng Verdënnungstechnologie fir domat zesummenzeschaffen, wat mat der zukünfteger Entwécklungsrichtung vun der Siliziumcarbid-Substratveraarbechtung iwwereneestëmmt. D'Scheiwenertragung vum traditionelle Mörteldrotschneiden ass am Allgemengen 1,5-1,6. D'Aféierung vun der Laserabstripptechnologie kann d'Scheiwenertragung op ongeféier 2,0 erhéijen (kuckt DISCO-Ausrüstung). An Zukunft, mat der Reife vun der Laserabstripptechnologie, kéint d'Scheiwenertragung weider verbessert ginn; gläichzäiteg kann d'Laserabstrippung och d'Effizienz vum Schneiden däitlech verbesseren. Laut Maartfuerschung schneit den Industrieleader DISCO eng Scheif a ronn 10-15 Minutten, wat vill méi effizient ass wéi dat aktuellt Mörteldrotschneiden vu 60 Minutten pro Scheif.
D'Prozessschrëtt vum traditionellen Drotschneiden vu Siliziumcarbid-Substrater sinn: Drotschneiden - Grobschleifen - Feinschleifen - Grobpoléieren a Feinpoléieren. Nodeems de Laser-Abstripping-Prozess den Drotschneiden ersat huet, gëtt den Ausdënnungsprozess benotzt fir de Schleifprozess ze ersetzen, wat de Verloscht vu Scheiwen reduzéiert an d'Veraarbechtungseffizienz verbessert. De Laser-Abstripping-Prozess vum Schneiden, Schleifen a Poléieren vu Siliziumcarbid-Substrater ass an dräi Schrëtt opgedeelt: Laseroberflächenscannen - Substratabstrippen - Barrenofplattung: Laseroberflächenscannen ass d'Benotzung vun ultraschnelle Laserimpulsen fir d'Uewerfläch vum Barren ze veraarbechten fir eng modifizéiert Schicht am Barren ze bilden; Substratabstrippen ass d'Trennung vum Substrat iwwer der modifizéierter Schicht vum Barren duerch physikalesch Methoden; Barrenofplattung ass d'Entfernung vun der modifizéierter Schicht op der Uewerfläch vum Barren fir d'Flaachheet vun der Barrenuewerfläch ze garantéieren.
Siliziumkarbid Laser Strippprozess
2. Internationalen Fortschrëtt an der Laserstrippingstechnologie a Firmen, déi an der Industrie deelhuelen
De Laser-Stripping-Prozess gouf fir d'éischt vun auslännesche Firmen adoptéiert: Am Joer 2016 huet déi japanesch DISCO eng nei Laser-Schneidtechnologie KABRA entwéckelt, déi eng Trennschicht bildt an d'Waferen op enger spezifizéierter Déift trennt, andeems de Barren kontinuéierlech mat engem Laser bestraalt gëtt, wat fir verschidden Zorte vu SiC-Barren benotzt ka ginn. Am November 2018 huet Infineon Technologies d'Siltectra GmbH, eng Wafer-Schneid-Startup, fir 124 Milliounen Euro iwwerholl. Déi leschtgenannt huet de Cold Split-Prozess entwéckelt, deen patentéiert Lasertechnologie benotzt fir de Spléckberäich ze definéieren, speziell Polymermaterialien ze beschichten, d'Kühlungsspannung ze kontrolléieren, Materialien präzis ze splécken, a fir ze schleifen a botzen, fir de Wafer-Schneiden z'erreechen.
An de leschte Joren hunn och e puer inlännesch Firmen sech an d'Industrie fir Laserstrip-Ausrüstung agesat: déi Haaptfirme sinn Han's Laser, Delong Laser, West Lake Instrument, Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation an den Institute of Semiconductors vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften. Dorënner sinn déi opgezielt Firmen Han's Laser an Delong Laser schonn zënter laanger Zäit am Layout, an hir Produkter gi vu Clienten iwwerpréift, awer d'Firma huet vill Produktlinnen, a Laserstrip-Ausrüstung ass nëmmen ee vun hire Geschäfter. D'Produkter vu risege Stäre wéi West Lake Instrument hunn offiziell Bestellunge geliwwert; Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation 2, den Institute of Semiconductors vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften an aner Firmen hunn och Fortschrëtter am Ausrüstung verëffentlecht.
3. Treibfaktoren fir d'Entwécklung vun der Laserstrippingtechnologie an de Rhythmus vun der Maartintroduktioun
D'Präisreduktioun vu 6-Zoll-Siliziumcarbid-Substrater dréit d'Entwécklung vun der Laser-Striptechnologie un: Am Moment ass de Präis vu 6-Zoll-Siliziumcarbid-Substrater ënner 4.000 Yuan/Stéck gefall, an erreecht de Käschtepräis vu verschiddene Produzenten. De Laser-Stripprozess huet eng héich Rendementsquote a staark Rentabilitéit, wat d'Penetratiounsquote vun der Laser-Striptechnologie erhéicht.
D'Verdënnung vun 8-Zoll Siliziumcarbid-Substrater dréit d'Entwécklung vun der Laser-Striptechnologie un: D'Déckt vun 8-Zoll Siliziumcarbid-Substrater ass de Moment 500µm a wiisst op eng Déckt vun 350µm. De Prozess vum Drotschneiden ass net effektiv bei der Veraarbechtung vun 8-Zoll Siliziumcarbid (d'Substratoberfläche ass net gutt), an d'BOW- a WARP-Wäerter hunn sech däitlech verschlechtert. Laser-Stripting gëllt als eng néideg Veraarbechtungstechnologie fir d'Veraarbechtung vun 350µm Siliziumcarbid-Substrater, wat d'Penetratiounsquote vun der Laser-Striptingtechnologie erhéicht.
Maarterwaardungen: SiC-Substrat-Laser-Striptgeräter profitéieren vun der Expansioun vun 8-Zoll SiC an der Käschtereduktioun vu 6-Zoll SiC. Deen aktuellen kritesche Punkt an der Industrie kënnt méi no, an d'Entwécklung vun der Industrie wäert staark beschleunegt ginn.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08. Juli 2024