Bot kristal/wafer silikon karbida Sic yang disinter

Imej Pilihan bot kristal/wafer silikon karbida sintered Sic

Penerangan Ringkas:

Bot Kristal/Wafer Silikon Karbida Sintered (SiC) kami direka bentuk untuk ketepatan dalam pembuatan semikonduktor. Dengan kestabilan haba yang luar biasa, rintangan kimia dan kekuatan mekanikal, bot ini memastikan pengangkutan kristal dan wafer yang selamat dan cekap melalui proses suhu tinggi.

Hantar emel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Yang disinterSilikon Karbida (SiC)Kristal/Bot Waferdireka bentuk untuk permintaan ketat industri semikonduktor dan mikroelektronik. Ia menyediakan platform yang selamat untuk mengendalikan hablur silikon dan wafer semasa pemprosesan suhu tinggi, memastikan integriti dan ketulenannya dikekalkan sepenuhnya.

Ciri-ciri Utama

Kestabilan Terma CemerlangMampu menahan suhu sehingga 1600°C, sesuai untuk proses yang memerlukan kawalan haba yang tepat.
Rintangan Kimia UnggulTahan terhadap kebanyakan bahan kimia dan gas yang menghakis, memberikan ketahanan dalam persekitaran pemprosesan yang keras.
Kekuatan Mekanikal yang KukuhMengekalkan integriti struktur di bawah tekanan tinggi, mengurangkan kemungkinan ubah bentuk atau kerosakan.
Pengembangan Terma MinimumDireka untuk meminimumkan risiko kejutan haba dan keretakan, menawarkan prestasi yang andal sepanjang penggunaan yang berpanjangan.
Pembuatan KetepatanDihasilkan dengan ketepatan tinggi untuk memenuhi keperluan proses tertentu dan dapat menampung pelbagai saiz kristal dan wafer.

Aplikasi

• Pemprosesan wafer semikonduktor

• Pembuatan LED

• Penghasilan sel fotovoltaik

• Sistem pemendapan wap kimia (CVD)

• Penyelidikan dan pembangunan dalam sains bahan

烧结碳化硅物理特性 Sifat fizikal bagiSdikuburkanSilikonCarbide
性质 / Hartanah	典型数值 / Nilai Lazim
化学成分 / Bahan KimiaKomposisi	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Ketumpatan Pukal	>3.07 g/cm³
显气孔率/ Keliangan yang ketara Keliangan yang ketara	<0.1%
常温抗弯强度/ Modulus pecah pada 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Modulus pecah pada 1200℃	290MPa
硬度/ Kekerasan pada 20℃	2400 Kg/mm²
断裂韧性/ Ketangguhan patah pada 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Kekonduksian Terma pada 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Pengembangan haba pada 20-1200℃	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Suhu kerja maksimum	1400℃
热震稳定性/ Rintangan kejutan haba pada 1200℃	Bagus

Mengapa Memilih Bot Kristal/Wafer Silikon Karbida (SiC) Sintered Kami?

Memilih Bot Kristal/Wafer SiC kami bermaksud memilih kebolehpercayaan, kecekapan dan ketahanan. Setiap bot menjalani langkah kawalan kualiti yang ketat bagi memastikan ia memenuhi piawaian tertinggi industri. Produk ini bukan sahaja meningkatkan keselamatan dan produktiviti proses pembuatan anda tetapi juga menjamin kualiti kristal dan wafer silikon anda yang konsisten. Dengan Bot Kristal/Wafer SiC kami, anda boleh mempercayai penyelesaian yang menyokong kecemerlangan operasi anda.