Silikon karbida tersinter Sic kristal / bot wafer

Penerangan ringkas:

Bot Kristal/Wafer Sintered Silicon Carbide (SiC) kami direka bentuk untuk ketepatan dalam pembuatan semikonduktor. Dengan kestabilan haba yang luar biasa, rintangan kimia dan kekuatan mekanikal, bot ini memastikan pengangkutan kristal dan wafer yang selamat dan cekap melalui proses suhu tinggi.

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Yang TersinterSilikon Karbida (SiC)kristal/Bot Waferdireka untuk permintaan ketat industri semikonduktor dan mikroelektronik. Ia menyediakan platform selamat untuk mengendalikan kristal silikon dan wafer semasa pemprosesan suhu tinggi, memastikan integriti dan ketulenannya dikekalkan sepanjang masa.

Ciri-ciri Utama

Kestabilan Terma yang Luar Biasa: Mampu menahan suhu sehingga 1600°C, sesuai untuk proses yang memerlukan kawalan haba yang tepat.
Rintangan Kimia Unggul: Tahan kepada kebanyakan bahan kimia dan gas yang menghakis, memberikan ketahanan dalam persekitaran pemprosesan yang keras.
Kekuatan Mekanikal yang Teguh: Mengekalkan integriti struktur di bawah tekanan tinggi, mengurangkan kemungkinan ubah bentuk atau pecah.
Pengembangan Terma Minimum: Direka bentuk untuk meminimumkan risiko renjatan terma dan keretakan, menawarkan prestasi yang boleh dipercayai berbanding penggunaan lanjutan.
Pembuatan Ketepatan: Dibuat dengan ketepatan tinggi untuk memenuhi keperluan proses tertentu dan menampung pelbagai saiz kristal dan wafer.

Aplikasi

• Pemprosesan wafer semikonduktor

• Pembuatan LED

• Penghasilan sel fotovoltaik

• Sistem pemendapan wap kimia (CVD).

• Penyelidikan dan pembangunan dalam sains bahan

烧结碳化硅物理特性 Sifat fizikal bagiSberminatSikonCambide
性质 / Harta	典型数值 / Nilai Biasa
化学成分 / KimiaKomposisi	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Ketumpatan Pukal	>3.07 g/cm³
显气孔率/ Keliangan ketara Keliangan yang ketara	<0.1%
常温抗弯强度/ Modulus pecah pada 20 ℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Modulus pecah pada 1200 ℃	290MPa
硬度/ Kekerasan pada 20 ℃	2400 Kg/mm²
断裂韧性/ Keliatan patah pada 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Kekonduksian Terma pada 1200 ℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Pengembangan terma pada 20-1200 ℃	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Max.suhu bekerja	1400 ℃
热震稳定性/ Rintangan kejutan terma pada 1200 ℃	bagus

Mengapa Memilih Bot Kristal/Wafer Silikon Karbida Tersinter (SiC) Kami?

Memilih Bot Kristal/Wafer SiC kami bermakna memilih untuk kebolehpercayaan, kecekapan dan umur panjang. Setiap bot menjalani langkah kawalan kualiti yang ketat untuk memastikan ia memenuhi piawaian tertinggi industri. Produk ini bukan sahaja meningkatkan keselamatan dan produktiviti proses pembuatan anda tetapi juga menjamin kualiti kristal silikon dan wafer anda yang konsisten. Dengan Bot SiC Crystal/Wafer kami, anda boleh mempercayai penyelesaian yang menyokong kecemerlangan operasi anda.