-
Полупроводниковый процесс полный процесс фотолитографии
Производство каждого полупроводникового продукта требует сотен процессов. Мы разделяем весь процесс производства на восемь этапов: обработка пластины-окисление-фотолитография-травление-нанесение тонкой пленки-эпитаксиальный рост-диффузия-ионная имплантация. Чтобы помочь вам...Читать далее -
4 миллиарда! SK Hynix объявляет об инвестициях в усовершенствованную полупроводниковую корпусную продукцию в исследовательском парке Purdue
Уэст-Лафайет, Индиана – SK hynix Inc. объявила о планах инвестировать около 4 млрд долларов в строительство передового упаковочного производства и научно-исследовательского центра для продуктов искусственного интеллекта в исследовательском парке Пердью. Создание ключевого звена в цепочке поставок полупроводников в США в Уэст-Лафайет...Читать далее -
Лазерная технология лидирует в трансформации технологии обработки подложек из карбида кремния
1. Обзор технологии обработки подложек из карбида кремния Текущие этапы обработки подложек из карбида кремния включают: шлифование внешнего круга, нарезку, снятие фаски, шлифование, полировку, очистку и т. д. Нарезка является важным этапом в обработке подложек из полупроводников...Читать далее -
Основные материалы теплового поля: композитные материалы C/C
Углерод-углеродные композиты — это тип углеродных волокнистых композитов, в которых углеродное волокно используется в качестве армирующего материала, а осажденный углерод — в качестве матричного материала. Матрицей композитов C/C является углерод. Поскольку он почти полностью состоит из элементарного углерода, он обладает превосходной стойкостью к высоким температурам...Читать далее -
Три основных метода выращивания кристаллов SiC
Как показано на рис. 3, существуют три основных метода, направленных на получение монокристаллов SiC высокого качества и эффективности: жидкофазная эпитаксия (LPE), физический перенос паров (PVT) и высокотемпературное химическое осаждение паров (HTCVD). PVT — это хорошо зарекомендовавший себя процесс производства монокристаллов SiC...Читать далее -
Краткое введение в полупроводниковую технологию GaN третьего поколения и связанную с ней эпитаксиальную технологию
1. Полупроводники третьего поколения Полупроводниковая технология первого поколения была разработана на основе полупроводниковых материалов, таких как Si и Ge. Она является материальной основой для разработки транзисторов и технологии интегральных схем. Полупроводниковые материалы первого поколения заложили...Читать далее -
23,5 млрд., суперединорог из Сучжоу выходит на IPO
После 9 лет предпринимательства Innoscience привлекла более 6 млрд юаней общего финансирования, а ее оценка достигла поразительных 23,5 млрд юаней. Список инвесторов так же длинен, как и десятки компаний: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Читать далее -
Каким образом изделия с покрытием из карбида тантала повышают коррозионную стойкость материалов?
Покрытие из карбида тантала является широко используемой технологией обработки поверхности, которая может значительно улучшить коррозионную стойкость материалов. Покрытие из карбида тантала может быть прикреплено к поверхности подложки с помощью различных методов подготовки, таких как химическое осаждение из паровой фазы, физичес...Читать далее -
Введение в полупроводниковую технологию GaN третьего поколения и связанную с ней эпитаксиальную технологию
1. Полупроводники третьего поколения Полупроводниковая технология первого поколения была разработана на основе полупроводниковых материалов, таких как Si и Ge. Она является материальной основой для разработки транзисторов и технологии интегральных схем. Полупроводниковые материалы первого поколения заложили основу...Читать далее