O le va'a wafer silicon carbide o se masini e amoina avega mo wafers, e masani ona fa'aaogaina i faiga fa'asalalau o le la ma le semiconductor. E iai ona uiga e pei o le tete'e atu i le ofuina, tete'e atu i le 'ele, tete'e atu i le vevela maualuga, tete'e atu i le pa o le plasma, gafatia maualuga e amoina ai le vevela, maualuga le fa'avevela, maualuga le fa'asalalauina o le vevela, ma le fa'aaogaina umi e le faigofie ona punou ma fa'aleagaina. O la matou kamupani e fa'aogaina mea silicon carbide mama e fa'amautinoa ai le umi o le tautua ma tu'uina atu mamanu fa'apitoa, e aofia ai le tele o va'a wafer fa'atulagaina ma fa'alava.
Pepa Fa'amaumauga o Meafaitino
| 材料Meafaitino | R-SiC |
| 使用温度Vevela o le galuega (°C) | 1600°C ( 氧化气氛Siosiomaga oxidizing)1700°C ( 还原气氛Siosiomaga fa'aitiitia) |
| SiC含量SiC anotusi (%) | > 99 |
| 自由Si 含量 Free Si anotusi (%) | < 0.1 |
| 体积密度Mafiafia o le tele (g/cm3) | 2.60-2.70 |
| 气孔率Porosity manino (%) | < 16 |
| 抗压强度Malosiaga o le olopalaina (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Malosiaga o le punou malulu (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Malosiaga o le punou vevela (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数 Fa'ateleina fa'aavela @1500°C (10-6/°C) | 4.70 |
| 导热系数Fa'avevela i le 1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Modulus fa'alelei (GPa) | 240 |
| 抗热震性Tete'e atu i le te'i vevela | 很好Lelei tele |
Ningbo VET Malosiaga Tekonolosi Kamupani, Ltdo se pisinisi tekonolosi maualuga e taulaʻi atu i le gaosiga ma le faʻatauina atu o meafaitino maualuluga, meafaitino ma tekinolosie aofia aigraphite, silicon carbide, keramika, togafitiga o luga ma isi mea faapena. O oloa e faʻaaogaina lautele i le photovoltaic, semiconductor, malosiaga fou, metallurgy, ma isi mea faapena.
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