Ọkọ̀ ojú omi onírin carbide silicon jẹ́ ẹ̀rọ tí ó ń gbé ẹrù fún àwọn wafers, tí a sábà máa ń lò nínú àwọn ìlànà ìtànkálẹ̀ oòrùn àti semiconductor. Ó ní àwọn ànímọ́ bíi resistance aṣọ, resistance ipata, resistance ikolu iwọn otutu gíga, resistance si bombu plasma, agbara gbigbe iwọn otutu giga, agbara resistance ooru giga, itusilẹ ooru giga, ati lilo igba pipẹ ti ko rọrun lati tẹ ati yiyipada. Ile-iṣẹ wa nlo ohun elo silikoni carbide mimọ giga lati rii daju pe o ṣiṣẹ ati pese awọn apẹrẹ ti a ṣe adani, pẹlu awọn oriṣiriṣi ọkọ oju omi onirin inaro ati petele.
Ìwé Ìwádìí Ohun Èlò
| 材料Ohun èlò | R-SiC |
| 使用温度Iwọn otutu iṣiṣẹ (°C) | 1600°C ( 氧化气氛Ayika Oxidizing) 1700°C |
| SiC含量 SiC akoonu (%) | > 99 |
| 自由Si 含量 Akoonu Si Ọfẹ (%) | < 0.1 |
| 体积密度Ìwọ̀n púpọ̀ (g/cm3) | 2.60-2.70 |
| 气孔率Àwọn ihò tó hàn gbangba (%) | < 16 |
| 抗压强度Agbára fífọ́ (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Agbára títẹ̀ tútù (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Agbára títẹ̀ gbígbóná (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数 olùsọdipúpọ̀ ìmúgbòòrò gbóná @1500°C (10-6/°C) | 4.70 |
| 导热系数Ìlànà ooru @1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Mọ́dúlùsì onírọ̀rùn (GPa) | 240 |
| 抗热震性Agbara mọnamọna gbona | 很好O dara pupọ |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd.jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga kan tí ó ń dojúkọ iṣẹ́ àti títà àwọn ohun èlò ìdàgbàsókè gíga, àwọn ohun èlò àti ìmọ̀-ẹ̀rọpẹlugraphite, silicon carbide, seramiki, ìtọ́jú ojú ilẹ̀ àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Àwọn ọjà náà ni a lò fún photovoltaic, semiconductor, agbára tuntun, irin, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke julọ, le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ siifun e.
Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!
