Giá đỡ wafer silicon carbide là thiết bị chịu tải cho wafer, chủ yếu được sử dụng trong các quy trình khuếch tán bán dẫn và năng lượng mặt trời. Nó có các đặc tính như khả năng chống mài mòn, chống ăn mòn, chịu va đập ở nhiệt độ cao, chịu được sự bắn phá của plasma, khả năng chịu nhiệt độ cao, độ dẫn nhiệt cao, khả năng tản nhiệt cao và sử dụng lâu dài mà không dễ bị cong vênh hay biến dạng. Công ty chúng tôi sử dụng vật liệu silicon carbide có độ tinh khiết cao để đảm bảo tuổi thọ và cung cấp các thiết kế tùy chỉnh, bao gồm nhiều loại giá đỡ wafer dạng đứng và nằm ngang.
Bảng dữ liệu vật liệu
| 材料Vật liệu | R-SiC |
| 使用温度Nhiệt độ hoạt động (°C) | 1600°C ( 氧化气氛Môi trường oxy hóa)1700°C ( 还原气氛Môi trường khử) |
| SiC含量Hàm lượng SiC (%) | > 99 |
| 自由Si 含量Hàm lượng Si miễn phí (%) | < 0,1 |
| 体积密度Khối lượng riêng (g/cm3) | 2,60-2,70 |
| 气孔率Độ xốp biểu kiến (%) | < 16 |
| 抗压强度Cường độ nén (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Độ bền uốn nguội (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Cường độ uốn nóng (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数Hệ số giãn nở nhiệt @1500°C (10-6/°C) | 4,70 |
| 导热系数Độ dẫn nhiệt ở 1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Mô đun đàn hồi (GPa) | 240 |
| 抗热震性Khả năng chống sốc nhiệt | 很好Cực kỳ tốt |
Công ty TNHH Công nghệ Năng lượng Ningbo VETlà một doanh nghiệp công nghệ cao tập trung vào sản xuất và kinh doanh các vật liệu tiên tiến cao cấp, vật liệu và công nghệ.bao gồmCác sản phẩm này được làm từ than chì, cacbua silic, gốm sứ, xử lý bề mặt, v.v. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp như quang điện, bán dẫn, năng lượng mới, luyện kim, v.v.
Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi đến từ các viện nghiên cứu hàng đầu trong nước, có thể cung cấp các giải pháp vật liệu chuyên nghiệp hơn.Dành cho bạn.
Rất hân hạnh được đón tiếp quý khách đến thăm nhà máy của chúng tôi, hãy cùng trao đổi thêm nhé!
