خبریں

8 انچ کی ایس آئی سی ایپیٹیکسیل فرنس اور ہوموپیٹاکسیل عمل پر تحقیق-Ⅰ
بذریعہ منتظم 24-09-04 کو
فی الحال، SiC انڈسٹری 150 ملی میٹر (6 انچ) سے 200 ملی میٹر (8 انچ) میں تبدیل ہو رہی ہے۔ صنعت میں بڑے سائز کے، اعلیٰ معیار کے SiC homoepitaxial wafers کی فوری طلب کو پورا کرنے کے لیے، 150mm اور 200mm 4H-SiC homoepitaxial wafers کو کامیابی کے ساتھ تیار کیا گیا۔
مزید پڑھیں
غیر محفوظ کاربن تاکنا ڈھانچہ کی اصلاح -Ⅱ
بذریعہ منتظم 24-08-27
مصنوعات کی معلومات اور مشاورت کے لیے ہماری ویب سائٹ پر خوش آمدید۔ ہماری ویب سائٹ: https://www.vet-china.com/ جسمانی اور کیمیائی ایکٹیویشن کا طریقہ جسمانی اور کیمیائی ایکٹیویشن طریقہ سے مراد مذکورہ دو عمل کو ملا کر غیر محفوظ مواد تیار کرنے کا طریقہ ہے۔
مزید پڑھیں
غیر محفوظ کاربن تاکنا ڈھانچہ کی اصلاح-Ⅰ
بذریعہ منتظم 24-08-27
مصنوعات کی معلومات اور مشاورت کے لیے ہماری ویب سائٹ پر خوش آمدید۔ ہماری ویب سائٹ: https://www.vet-china.com/ یہ مقالہ موجودہ ایکٹیویٹڈ کاربن مارکیٹ کا تجزیہ کرتا ہے، ایکٹیویٹڈ کاربن کے خام مال کا گہرائی سے تجزیہ کرتا ہے، تاکنا کی ساخت کا تعارف کرتا ہے...
مزید پڑھیں
سیمی کنڈکٹر عمل کا بہاؤ-Ⅱ
بذریعہ منتظم 24-08-23
مصنوعات کی معلومات اور مشاورت کے لیے ہماری ویب سائٹ پر خوش آمدید۔ ہماری ویب سائٹ: https://www.vet-china.com/ Poly اور SiO2 کی Etching: اس کے بعد اضافی Poly اور SiO2 کو ہٹا دیا جاتا ہے، یعنی ہٹا دیا جاتا ہے۔ اس وقت، دشاتمک نقاشی کا استعمال کیا جاتا ہے. درجہ بندی میں...
مزید پڑھیں
سیمی کنڈکٹر عمل کا بہاؤ
بذریعہ منتظم 24-08-23
آپ اسے سمجھ سکتے ہیں یہاں تک کہ اگر آپ نے کبھی فزکس یا ریاضی کا مطالعہ نہیں کیا ہے، لیکن یہ تھوڑا بہت آسان اور ابتدائیوں کے لیے موزوں ہے۔ اگر آپ CMOS کے بارے میں مزید جاننا چاہتے ہیں، تو آپ کو اس مسئلے کا مواد پڑھنا ہوگا، کیونکہ عمل کے بہاؤ کو سمجھنے کے بعد ہی (یعنی...
مزید پڑھیں
سیمی کنڈکٹر ویفر آلودگی اور صفائی کے ذرائع
بذریعہ منتظم 24-08-13
سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں حصہ لینے کے لیے کچھ نامیاتی اور غیر نامیاتی مادوں کی ضرورت ہوتی ہے۔ اس کے علاوہ، چونکہ یہ عمل ہمیشہ انسانوں کی شرکت کے ساتھ ایک صاف کمرے میں ہوتا ہے، اس لیے سیمی کنڈکٹر ویفرز لامحالہ مختلف نجاستوں سے آلودہ ہوتے ہیں۔ ایکور...
مزید پڑھیں
سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ انڈسٹری میں آلودگی کے ذرائع اور روک تھام
بذریعہ منتظم 24-08-13
سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کی تیاری میں بنیادی طور پر مجرد ڈیوائسز، انٹیگریٹڈ سرکٹس اور ان کی پیکیجنگ کے عمل شامل ہیں۔ سیمی کنڈکٹر کی پیداوار کو تین مراحل میں تقسیم کیا جاسکتا ہے: پروڈکٹ باڈی میٹریل پروڈکشن، پروڈکٹ ویفر مینوفیکچرنگ اور ڈیوائس اسمبلی۔ ان میں،...
مزید پڑھیں
پتلا کرنے کی ضرورت کیوں ہے؟
بذریعہ منتظم 24-08-08 کو
بیک اینڈ پروسیسنگ مرحلے میں، پیکج کی بڑھتی ہوئی اونچائی کو کم کرنے، چپ پیکیج والیوم کو کم کرنے، چپ کے تھرمل پھیلاؤ کو بہتر بنانے کے لیے بعد میں ڈائسنگ، ویلڈنگ اور پیکیجنگ سے پہلے ویفر (سلیکون ویفر) کو پیٹھ پر پتلا کرنے کی ضرورت ہے۔
مزید پڑھیں
اعلی طہارت SiC سنگل کرسٹل پاؤڈر ترکیب عمل
بذریعہ منتظم 24-08-08 کو
سلکان کاربائیڈ سنگل کرسٹل نمو کے عمل میں، جسمانی بخارات کی نقل و حمل موجودہ مرکزی دھارے کی صنعت کاری کا طریقہ ہے۔ PVT ترقی کے طریقہ کار کے لئے، سلکان کاربائڈ پاؤڈر ترقی کے عمل پر بہت زیادہ اثر و رسوخ رکھتا ہے. سلکان کاربائیڈ پاؤڈر کے تمام پیرامیٹرز
مزید پڑھیں