Жаңылыктар

8 дюймдук SiC эпитаксиалдык меш жана гомеопитаксиалдык процесс боюнча изилдөө-Ⅰ
admin тарабынан 24-09-04 күнү жарыяланган
Учурда SiC өнөр жайы 150 ммден (6 дюйм) 200 ммге (8 дюйм) өтүүдө. Өнөр жайдагы чоң өлчөмдөгү, жогорку сапаттагы SiC гомоэпитаксиалдык пластиналарына болгон шашылыш суроо-талапты канааттандыруу үчүн, 150 мм жана 200 мм 4H-SiC гомоэпитаксиалдык пластиналары ийгиликтүү даярдалды...
Көбүрөөк окуу
Көмүртектин тешиктүү түзүлүшүн оптималдаштыруу -Ⅱ
админ тарабынан 24-08-27 күнү жарыяланган
Продукция жөнүндө маалымат алуу жана консультация алуу үчүн биздин веб-сайтка кош келиңиз. Биздин веб-сайт: https://www.vet-china.com/ Физикалык жана химиялык активдештирүү ыкмасы Физикалык жана химиялык активдештирүү ыкмасы жогорудагы эки аракетти айкалыштыруу менен тешиктүү материалдарды даярдоо ыкмасын билдирет...
Көбүрөөк окуу
Көмүртектин тешиктүү түзүлүшүн оптималдаштыруу-II
админ тарабынан 24-08-27 күнү жарыяланган
Продукция жөнүндө маалымат алуу жана консультация алуу үчүн биздин веб-сайтка кош келиңиз. Биздин веб-сайт: https://www.vet-china.com/ Бул макалада учурдагы активдештирилген көмүр рыногу талданат, активдештирилген көмүрдүн чийки затынын терең анализи жүргүзүлөт, тешикчелердин түзүлүшү менен тааныштырылат...
Көбүрөөк окуу
Жарым өткөргүч процессинин агымы-II
админ тарабынан 24-08-23 күнү жарыяланган
Продукция жөнүндө маалымат алуу жана консультация алуу үчүн биздин веб-сайтка кош келиңиз. Биздин веб-сайт: https://www.vet-china.com/ Поли жана SiO2ди оюу: Андан кийин ашыкча Поли жана SiO2 оюлат, башкача айтканда, алынып салынат. Бул учурда багыттуу оюу колдонулат. Классификациялоодо...
Көбүрөөк окуу
Жарым өткөргүчтүү процесстин агымы
админ тарабынан 24-08-23 күнү жарыяланган
Эгер сиз физиканы же математиканы эч качан окубасаңыз да, аны түшүнө аласыз, бирок ал бир аз өтө жөнөкөй жана башталгычтар үчүн ылайыктуу. Эгер сиз CMOS жөнүндө көбүрөөк билгиңиз келсе, бул сандын мазмунун окуп чыгышыңыз керек, анткени процесстин агымын түшүнгөндөн кийин гана (башкача айтканда...
Көбүрөөк окуу
Жарым өткөргүч пластиналардын булгануу булактары жана тазалоо
admin тарабынан 24-08-13 күнү жарыяланган
Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүүгө катышуу үчүн кээ бир органикалык жана органикалык эмес заттар талап кылынат. Мындан тышкары, процесс ар дайым таза бөлмөдө адамдын катышуусу менен жүргүзүлгөндүктөн, жарым өткөргүч пластиналар сөзсүз түрдө ар кандай кошулмалар менен булганат. Активдүү...
Көбүрөөк окуу
Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү өнөр жайындагы булгануу булактары жана алардын алдын алуу
admin тарабынан 24-08-13 күнү жарыяланган
Жарым өткөргүч түзүлүштөрдү өндүрүү негизинен дискреттик түзүлүштөрдү, интегралдык микросхемаларды жана аларды таңгактоо процесстерин камтыйт. Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүүнү үч этапка бөлүүгө болот: продукт корпусунун материалын өндүрүү, продукт пластинасын өндүрүү жана түзүлүштөрдү чогултуу. Алардын арасында...
Көбүрөөк окуу
Эмне үчүн арыктоо керек?
admin тарабынан 24-08-08 күнү жарыяланган
Арткы бетиндеги процесстин этабында, пакетти орнотуу бийиктигин азайтуу, чиптин пакетинин көлөмүн азайтуу, чиптин жылуулук диффузиясын жакшыртуу үчүн, пластинаны (алдыңкы жагында схемалары бар кремний пластинасын) кийинки кесүү, ширетүү жана таңгактоодон мурун арткы бетин суюлтуу керек...
Көбүрөөк окуу
Жогорку тазалыктагы SiC бир кристалл порошогун синтездөө процесси
admin тарабынан 24-08-08 күнү жарыяланган
Кремний карбидинин монокристаллдык өстүрүү процессинде физикалык буу ташуу азыркы негизги индустриалдаштыруу ыкмасы болуп саналат. ПВТ өстүрүү ыкмасы үчүн кремний карбид порошогу өсүү процессине чоң таасир этет. Кремний карбид порошогунун бардык параметрлери...
Көбүрөөк окуу