Naidheachdan

Rannsachadh air fùirneis epitaxial SiC 8-òirleach agus pròiseas homoepitaxial-Ⅰ
le rianaire air 24-09-04
An-dràsta, tha gnìomhachas an SiC ag atharrachadh bho 150 mm (6 òirlich) gu 200 mm (8 òirlich). Gus coinneachadh ris an iarrtas èiginneach airson uaifearan homoepitaxial SiC mòr, àrd-inbhe sa ghnìomhachas, chaidh uaifearan homoepitaxial 4H-SiC 150mm agus 200mm ullachadh gu soirbheachail air do...
Leugh tuilleadh
Leasachadh structar pore gualain porous -Ⅱ
le rianaire air 24-08-27
Fàilte gu ar làrach-lìn airson fiosrachadh mu thoraidhean agus co-chomhairle. An làrach-lìn againn: https://www.vet-china.com/ Modh gnìomhachaidh corporra is ceimigeach Tha modh gnìomhachaidh corporra is ceimigeach a’ toirt iomradh air an dòigh air stuthan porous ullachadh le bhith a’ cothlamadh an dà ghnìomh gu h-àrd...
Leugh tuilleadh
Leasachadh structar pore gualain porous-Ⅰ
le rianaire air 24-08-27
Fàilte gu ar làrach-lìn airson fiosrachadh agus co-chomhairle mu thoraidhean. An làrach-lìn againn: https://www.vet-china.com/ Tha am pàipear seo a’ dèanamh mion-sgrùdadh air margaidh gnàthach a’ charboin ghnìomhaichte, a’ dèanamh mion-sgrùdadh domhainn air stuthan amh a’ charboin ghnìomhaichte, a’ toirt a-steach structar nam pores...
Leugh tuilleadh
Sruthadh pròiseas leth-chonnsachaidh-Ⅱ
le rianaire air 24-08-23
Fàilte gu ar làrach-lìn airson fiosrachadh agus co-chomhairle mu thoraidhean. An làrach-lìn againn: https://www.vet-china.com/ Greanadh Poly agus SiO2: Às dèidh seo, thèid an cus Poly agus SiO2 a ghreanadh air falbh, is e sin, a thoirt air falbh. Aig an àm seo, thathar a’ cleachdadh greanadh stiùiridh. Anns an t-seòrsachadh...
Leugh tuilleadh
Sruthadh pròiseas leth-sheoltaiche
le rianaire air 24-08-23
Faodaidh tu a thuigsinn eadhon ged nach do rinn thu sgrùdadh air fiosaig no matamataig a-riamh, ach tha e beagan ro shìmplidh agus freagarrach do luchd-tòiseachaidh. Ma tha thu airson barrachd ionnsachadh mu CMOS, feumaidh tu susbaint na h-iris seo a leughadh, oir dìreach an dèidh tuigse fhaighinn air sruthadh a’ phròiseis (is e sin...
Leugh tuilleadh
Stòran truailleadh is glanadh wafer leth-chonnsachaidh
le rianaire air 24-08-13
Feumar cuid de stuthan organach is neo-organach a ghabhail pàirt ann an saothrachadh leth-chonnsachaidh. A bharrachd air an sin, leis gu bheil am pròiseas an-còmhnaidh air a dhèanamh ann an seòmar glan le com-pàirteachadh dhaoine, bidh uaifearan leth-chonnsachaidh gu cinnteach air an truailleadh le diofar neo-chunbhalachdan. A rèir...
Leugh tuilleadh
Stòran truailleadh agus casg ann an gnìomhachas saothrachaidh leth-chonnsachaidh
le rianaire air 24-08-13
Tha cinneasachadh innealan leth-sheoltairean sa mhòr-chuid a’ toirt a-steach innealan fa leth, cuairtean amalaichte agus na pròiseasan pacaidh aca. Faodar cinneasachadh leth-sheoltairean a roinn ann an trì ìrean: cinneasachadh stuth bodhaig toraidh, saothrachadh wafer toraidh agus cruinneachadh innealan. Nam measg,...
Leugh tuilleadh
Carson a tha feum air tanachadh?
le rianaire air 24-08-08
Aig ìre a’ phròiseis aig a’ chùl, feumar an wafer (wafer silicon le cuairtean air an aghaidh) a tanachadh air a’ chùl mus tèid a dhìsneachadh, a thàthadh agus a phacaigeadh às dèidh sin gus àirde sreap a’ phacaid a lughdachadh, meud pacaid a’ chip a lughdachadh, sgaoileadh teirmeach a’ chip a leasachadh...
Leugh tuilleadh
Pròiseas co-chur pùdar criostail singilte SiC àrd-ghlanachd
le rianaire air 24-08-08
Anns a’ phròiseas fàis criostail singilte silicon carbide, is e còmhdhail smùid corporra an dòigh gnìomhachais prìomh-shruthach a th’ ann an-dràsta. Airson an dòigh fàis PVT, tha buaidh mhòr aig pùdar silicon carbide air a’ phròiseas fàis. Tha a h-uile paramadair de phùdar silicon carbide a’ stiùireadh...
Leugh tuilleadh