Habarlar

8 dýuýmlyk SiC epitaksial peçi we gomeopitaksial proses boýunça ylmy barlaglar - II
admin tarapyndan 24-09-04 senesinde
Häzirki wagtda SiC senagaty 150 mm (6 dýuým)-dan 200 mm (8 dýuým)-a öwrülýär. Senagatda uly göwrümli, ýokary hilli SiC gomoepitaksial waferlerine bolan gyssagly islegi kanagatlandyrmak üçin, 150 mm we 200 mm 4H-SiC gomoepitaksial waferleri üstünlikli taýýarlanyldy...
Köpräk okaň
Gözenekli uglerod gözenekleriniň gurluşyny optimizirlemek -Ⅱ
admin tarapyndan 24-08-27 senesinde
Önüm barada maglumat we maslahat üçin web sahypamyza hoş geldiňiz. Web sahypamyz: https://www.vet-china.com/ Fiziki we himiki aktiwleşdiriş usuly Fiziki we himiki aktiwleşdiriş usuly ýokardaky iki hereketi birleşdirip gözenekli materiallary taýýarlamak usulyna degişlidir...
Köpräk okaň
Gözenekli uglerod gözenekleriniň gurluşyny optimizirlemek-I
admin tarapyndan 24-08-27 senesinde
Önüm barada maglumat we maslahat üçin web sahypamyza hoş geldiňiz. Web sahypamyz: https://www.vet-china.com/ Bu makala häzirki aktiwleşdirilen uglerod bazaryny seljerýär, aktiwleşdirilen uglerodyň çig mallarynyň çuňňur seljermesini geçirýär, gözenekleriň gurluşyny tanyşdyrýar...
Köpräk okaň
Ýarymgeçiriji proses akymy-II
admin tarapyndan 24-08-23 senesinde
Önüm barada maglumat we maslahat üçin web sahypamyza hoş geldiňiz. Web sahypamyz: https://www.vet-china.com/ Poli we SiO2-niň aşyndyrylmagy: Mundan soň, artykmaç Poli we SiO2 aşyndyrylýar, ýagny aýrylýar. Bu wagtda ugurly aşyndyrylma ulanylýar. Klassifikasiýada...
Köpräk okaň
Ýarymgeçiriji proses akymy
admin tarapyndan 24-08-23 senesinde
Siz ony hiç haçan fizika ýa-da matematika öwrenmedik bolsaňyz hem düşünip bilersiňiz, ýöne ol biraz aňsat we täze başlanlar üçin amatly. Eger CMOS barada has köp bilmek isleseňiz, bu sanynyň mazmunyny okamaly, sebäbi diňe prosesiň akymyny düşünenden soň (ýagny...
Köpräk okaň
Ýarymgeçirijili plastinkalaryň hapalanmagynyň we arassalanmagynyň çeşmeleri
admin tarapyndan 24-08-13 senesinde
Ýarymgeçirijileriň önümçiligine gatnaşmak üçin käbir organiki we organiki däl maddalar gerek. Mundan başga-da, proses hemişe arassa otagda adamyň gatnaşmagynda geçirilýändigi sebäpli, ýarymgeçiriji plastinalar dürli hapaçylyklar bilen hapalanýar. Ylalaşyk...
Köpräk okaň
Ýarymgeçirijiler önümçilik senagatynda hapalanma çeşmeleri we olaryň öňüni almak
admin tarapyndan 24-08-13 senesinde
Ýarymgeçiriji enjamlaryň önümçiligi, esasan, diskret enjamlary, integral mikrosxemalary we olary gaplamak proseslerini öz içine alýar. Ýarymgeçirijileriň önümçiligini üç tapgyra bölmek bolýar: önümiň göwdesiniň material önümçiligi, önüm waferiniň önümçiligi we enjamlaryň ýygnalmagy. Olaryň arasynda...
Köpräk okaň
Näme üçin inçelmek gerek?
admin tarapyndan 24-08-08 senesinde
Arka tarapdaky proses tapgyrynda, gaplamanyň berkidilmeginiň beýikligini azaltmak, çip gaplamasynyň göwrümini azaltmak, çipiň termal diffuziýasyny gowulandyrmak üçin, waferiň (öň tarapynda zynjyrlary bolan kremniý waferiniň) soňraky böleklere bölmekden, kebşirlemekden we gaplamakdan öň arka tarapyny inçeltmeli...
Köpräk okaň
Ýokary arassalykly SiC bir kristall poroşogynyň sintez prosesi
admin tarapyndan 24-08-08 senesinde
Kremniý karbidiniň bir kristally ösüş prosesinde fiziki bug daşamak häzirki esasy senagatlaşdyrma usulydyr. PVT ösüş usuly üçin kremniý karbidi poroşogy ösüş prosesine uly täsir edýär. Kremniý karbidi poroşogynyň ähli parametrleri...
Köpräk okaň