Silikon epitaksiyasi uchun CVD SiC bilan qoplangan komponentlar (Si Epi)
Bir qatlamli va partiyali kremniy epitaksial cho'ktirish tizimlari uchun aniqlik bilan ishlab chiqilgan CVD SiC bilan qoplangan susseptorlarimiz, sun'iy yo'ldosh disklarimiz va termal maydon komponentlarimiz ajoyib termal bir xillik va nol gazlanishni ta'minlaydi. Yuqori zichlikdagi kubik β-SiC qoplama qatlami yuqori tozalikdagi grafit substratini to'liq o'rab oladi, reaktiv gazning (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) o'yilishining oldini oladi va yuqori haroratli Si Epi ishlov berish paytida (1000°C - 1200°C) juda past metall aralashmalar darajasini (<5 ppm) kafolatlaydi.
Nazorat ostidagi emissiya plyonkaning chetidan markazgacha bo'lgan aniq qalinlikdagi izchilligini ta'minlaydi.
In situ kamerasini tozalash kimyoviy moddalari va termal zarbalardan ishonchli himoya qiladi.
Asosiy oqimdagi 200 mm/300 mm bitta plastinkali Epi asboblariga (Applied Materials, ASM) mos keladigan aniq CNC ishlov berilgan.
| Texnik parametr | Texnik xususiyatlar qiymati | Standart / Sinov usuli |
|---|---|---|
| Qoplama materiali | CVD β-SiC (Kub fazasi) | Yuqori zichlikdagi kristalli tuzilish |
| Substrat materiali | Ultra-sof izostatik grafit | Zichlik: 1,82 - 1,88 g/sm³ |
| Kimyoviy tozalik | Umumiy aralashmalar < 5 ppm | GDMS sinovdan o'tkazildi |
| Qoplama qalinligi | 80 mkm - 150 mkm | Bir xillik ≤ ± 5% |
-
SiC bilan qoplangan barrel susceptori
-
Silikon karbid qoplamali grafit patnis plitasi va...
-
Tayyorlangan SiC bilan qoplangan barrel susceptori
-
Epitaksial epi grafit barrel ushlagichi
-
Suyuq fazali epitaksi LPE uchun barrel ushlagichi
-
Korozyonga chidamli kremniy karbid bilan qoplangan kar...
-
Silikon karbid bilan qoplangan epitaksial varaq patnisdan foydalanish...