SiC epitaksial o'sishi uchun ilg'or CVD qoplamalari
Haddan tashqari issiqlik kuchlanishi (1500°C - 1700°C) ostida ishlaydigan yuqori quvvatli yarimo'tkazgichli qurilmalar jarayonlari uchun mo'ljallangan CVD SiC va TaC bilan qoplangan sayyoraviy susseptorlarimiz, sun'iy yo'ldosh disklarimiz va gaz deflektorlarimiz mukammal ishlash uchun yaratilgan. Zarrachalar hosil bo'lishi, sirt degradatsiyasi va reaktiv gaz o'yma (H₂, SiH₄, C₃H∯) ning oldini olish uchun mo'ljallangan ilg'or qoplamalarimiz uzoq ishlash muddatini, yuqori darajadagi qo'shimchalarni nazorat qilishni va yuqori plyonka qalinligining bir xilligini ta'minlaydi.6 dyuymli va 8 dyuymli SiC epitaksial plitalari.
Qattiq H₂/silanni qaytaruvchi muhitlarda 1700°C gacha issiqlikka barqaror.
Tez termal sikllar paytida qoplamaning delaminatsiyasini, mikro-yorilishlarni va to'planishni yo'q qiladi.
Keyingi avlod yuqori samarali SiC Epi reaktorlari (LPE, Aixtron, Nuflare) uchun moslashtirilgan aniq CNC ishlov berish.
| Texnik parametr | Texnik xususiyatlar qiymati | Standart / Sinov usuli |
|---|---|---|
| Qoplama materiallari variantlari | CVD SiC / Tantal karbid (TaC) | Yuqori tozalikdagi germetik qatlam |
| Asosiy substrat | Tozalangan izostatik grafit | Ommaviy aralashma <5 ppm |
| Termal zarba qarshiligi | Delta T > 500°C rampa tezligi | Yorilish / po'stlash yo'q |
| Sirt pürüzlülüğü (Ra) | ≤ 0,4 μm (Ko'zgu bilan jilolangan) | Gofret yopishishi va zarrachalarining oldini oladi |
-
SiC qoplamali grafit MOCVD gofret tashuvchilari...
-
SiC bilan qoplangan grafit asosli tashuvchilar
-
Si uchun yuqori va pastki grafit yarim oy qismi...
-
SiC bilan qoplangan grafit susseptori va tashuvchisi uchun...
-
SiC bilan qoplangan grafit yarim oy qismi kremniy C uchun...
-
SiC bilan qoplangan grafit yarim oy qismi va yig'ish...