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Halbleiterprozess, vollständiger Prozess der Fotolithografie
Die Herstellung jedes Halbleiterprodukts erfordert Hunderte von Prozessen. Wir unterteilen den gesamten Herstellungsprozess in acht Schritte: Waferbearbeitung, Oxidation, Photolithographie, Ätzen, Dünnschichtabscheidung, Epitaxie, Diffusion und Ionenimplantation. Wir helfen Ihnen...Mehr lesen -
4 Milliarden! SK Hynix kündigt Investition in fortschrittliche Halbleiterverpackungen im Purdue Research Park an
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. gab bekannt, fast 4 Milliarden US-Dollar in den Bau einer Produktionsstätte für fortschrittliche Verpackungen und einer Forschungs- und Entwicklungsanlage für Produkte der künstlichen Intelligenz im Purdue Research Park zu investieren. Damit wird ein wichtiges Bindeglied in der US-amerikanischen Halbleiter-Lieferkette in West Lafayette geschaffen.Mehr lesen -
Lasertechnologie führt den Wandel in der Siliziumkarbid-Substratverarbeitungstechnologie an
1. Überblick über die Technologie zur Verarbeitung von Siliziumkarbidsubstraten. Die aktuellen Schritte zur Verarbeitung von Siliziumkarbidsubstraten umfassen: Schleifen des äußeren Kreises, Schneiden, Anfasen, Schleifen, Polieren, Reinigen usw. Das Schneiden ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleitersubstraten.Mehr lesen -
Gängige Materialien für den thermischen Bereich: C/C-Verbundwerkstoffe
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe sind eine Art von Kohlenstofffaserverbundwerkstoffen, wobei Kohlenstofffasern als Verstärkungsmaterial und abgeschiedener Kohlenstoff als Matrixmaterial dienen. Die Matrix von C/C-Verbundwerkstoffen besteht aus Kohlenstoff. Da sie fast vollständig aus elementarem Kohlenstoff besteht, weist sie eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit auf.Mehr lesen -
Drei Haupttechniken für das SiC-Kristallwachstum
Wie in Abb. 3 dargestellt, gibt es drei gängige Verfahren zur Herstellung von SiC-Einkristallen mit hoher Qualität und Effizienz: Flüssigphasenepitaxie (LPE), physikalischer Dampftransport (PVT) und chemische Gasphasenabscheidung bei hohen Temperaturen (HTCVD). PVT ist ein etabliertes Verfahren zur Herstellung von SiC-Einkristallen.Mehr lesen -
Kurze Einführung in die Halbleitertechnologie GaN der dritten Generation und die damit verbundene Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Sie bildet die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und integrierter Schaltungstechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen -
23,5 Milliarden, Suzhous Super-Einhorn geht an die Börse
Nach neun Jahren Unternehmensgründung hat Innoscience mehr als 6 Milliarden Yuan an Finanzierungsmitteln aufgebracht und die Bewertung liegt bei erstaunlichen 23,5 Milliarden Yuan. Die Liste der Investoren umfasst Dutzende von Unternehmen: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian …Mehr lesen -
Wie verbessern mit Tantalkarbid beschichtete Produkte die Korrosionsbeständigkeit von Materialien?
Die Beschichtung mit Tantalcarbid ist eine häufig verwendete Oberflächenbehandlungstechnologie, die die Korrosionsbeständigkeit von Materialien deutlich verbessern kann. Die Beschichtung mit Tantalcarbid kann durch verschiedene Verfahren wie chemische Gasphasenabscheidung oder physikalische Verfahren auf der Oberfläche des Substrats aufgebracht werden.Mehr lesen -
Einführung in die dritte Generation des Halbleiters GaN und die damit verbundene Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Sie bildet die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und integrierter Schaltungstechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen