Naidheachdan

Dè an dòigh-obrach planaraidh aig CMP?
le rianaire air 24-11-25
’S e teicneòlas pròiseas a th’ ann an Dual-Damascene a thathas a’ cleachdadh gus ceanglaichean meatailt a dhèanamh ann an cuairtean amalaichte. ’S e leasachadh a bharrachd a th’ ann air pròiseas Damascus. Le bhith a’ cruthachadh thuill is claisean aig an aon àm san aon cheum pròiseis agus gan lìonadh le meatailt, tha saothrachadh amalaichte m...
Leugh tuilleadh
Grafait le còmhdach TaC
le rianaire air 24-11-21
I. Sgrùdadh paramadair pròiseis 1. Siostam TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Teòthachd tasgaidh: A rèir na foirmle teirmeadainimigeach, thathar ag obrachadh a-mach nuair a tha an teòthachd nas àirde na 1273K, gu bheil lùth shaor Gibbs an ath-bhualadh glè ìosal agus gu bheil an ath-bhualadh gu ìre mhath coileanta. An ath...
Leugh tuilleadh
Pròiseas fàs criostail silicon carbide agus teicneòlas uidheamachd
le rianaire air 24-11-21
1. Slighe teicneòlais fàs criostail SiC Tha PVT (dòigh fo-mheudachaidh), HTCVD (CVD teòthachd àrd), LPE (dòigh ìre leaghaidh) nan trì dòighean cumanta airson fàs criostail SiC; Is e an dòigh PVT an dòigh as aithnichte sa ghnìomhachas, agus tha còrr air 95% de chriostalan singilte SiC air am fàs leis an t-slighe PVT ...
Leugh tuilleadh
Ullachadh agus Leasachadh Coileanaidh Stuthan Co-dhèanta Silicon Carbon Porach
le rianaire air 24-11-13
Tha bataraidhean lithium-ion a’ leasachadh sa mhòr-chuid a dh’ionnsaigh dùmhlachd lùtha àrd. Aig teòthachd an t-seòmair, bidh stuthan electrode àicheil stèidhichte air silicon air an dèanamh le lithium gus ìre Li3.75Si beairteach ann an lithium a thoirt gu buil, le comas sònraichte suas ri 3572 mAh/g, a tha mòran nas àirde na an teòiridh...
Leugh tuilleadh
Ocsaideachadh Teirmeach Silicon Criostail Shingilte
le rianaire air 24-11-13
Canar ocsaidachadh ri cruthachadh dà-ogsaid silicon air uachdar silicon, agus lean cruthachadh dà-ogsaid silicon seasmhach agus làidir gu breith teicneòlas planar cuairteachaidh amalaichte silicon. Ged a tha iomadh dòigh ann air dà-ogsaid silicon fhàs gu dìreach air uachdar silico...
Leugh tuilleadh
Giullachd UV airson Pacadh Ìre-Wafer Fan-Out
le rianaire air 24-11-05
Tha pacadh ìre wafer fan-out (FOWLP) na dhòigh cosg-èifeachdach ann an gnìomhachas nan leth-chonnsachaidhean. Ach is e na fo-bhuaidhean àbhaisteach a tha aig a’ phròiseas seo lùbadh agus cuir às do chip. A dh’ aindeoin leasachadh leantainneach air teicneòlas fan-out ìre wafer agus ìre pannal, tha na cùisean sin co-cheangailte ri molltair fhathast ann...
Leugh tuilleadh
Ceirmeag silicon carbide: crìochnaichear phàirtean grianchloch photovoltaic
le rianaire air 24-11-05
Le leasachadh leantainneach an t-saoghail an-diugh, tha lùth neo-ath-nuadhachail a’ sìor fhàs sgìth, agus tha comann-daonna a’ sìor fhàs èiginneach lùth ath-nuadhachail a chleachdadh air a riochdachadh le “gaoth, solas, uisge agus niùclasach”. An coimeas ri stòran lùtha ath-nuadhachail eile, tha daoine...
Leugh tuilleadh
Pròiseas ullachaidh ceirmeag silicon carbide le bhith a’ sintering ath-bhualadh agus a’ sintering gun chuideam
le rianaire air 24-10-29
Sintering ath-bhualadh Tha am pròiseas cinneasachaidh ceirmeag silicon carbide sintering ath-bhualadh a’ toirt a-steach dlùthadh ceirmeag, dlùthadh àidseant in-shìoladh flux sintering, ullachadh toraidh ceirmeag sintering ath-bhualadh, ullachadh ceirmeag fiodha silicon carbide agus ceumannan eile. Sintering silicon ath-bhualadh ...
Leugh tuilleadh
Ceirmeag silicon carbide: co-phàirtean mionaideach a tha riatanach airson pròiseasan leth-chonnsachaidh
le rianaire air 24-10-29
Tha teicneòlas fotolithografaidh ag amas sa mhòr-chuid air siostaman optaigeach a chleachdadh gus pàtrain cuairte a nochdadh air uaifearan silicon. Tha cruinneas a’ phròiseis seo a’ toirt buaidh dhìreach air coileanadh agus toradh chuairtean amalaichte. Mar aon de na prìomh uidheamachd airson saothrachadh sliseagan, tha an inneal lithografaidh a’ toirt a-steach suas ri...
Leugh tuilleadh