Diosc Glacadair Wafer Còmhdaichte le Silicon Carbide

Ìomhaigh Sònraichte de diosc glacaidh wafer còmhdaichte le silicon carbide

Tuairisgeul Goirid:

Tha diosc glacaidh wafer còmhdaichte le silicon carbide VET Energy na thoradh àrd-choileanaidh a chaidh a dhealbhadh gus coileanadh cunbhalach agus earbsach a thoirt seachad thar ùine mhòr. Tha strì an aghaidh teas agus cunbhalachd teirmeach air leth math aige, purrachd àrd, strì an aghaidh bleith, ga dhèanamh mar an fhuasgladh foirfe airson tagraidhean giullachd wafer.

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

’S e Diosc Uabhar Silicon Carbide prìomh phàirt a thathas a’ cleachdadh ann an grunn phròiseasan saothrachaidh leth-chonnsachaidh. Bidh sinn a’ cleachdadh ar teicneòlas peutant gus an diosc silicon carbide a dhèanamh nas sàbhailte le purrachd air leth àrd, deagh aonfhoirmeachd còmhdach agus beatha seirbheis sàr-mhath, a bharrachd air feartan àrd-sheasmhachd cheimigeach agus seasmhachd teirmeach.

’S e VET Energy an fhìor neach-dèanamh de thoraidhean grafait is silicon carbide gnàthaichte le diofar chòtaichean leithid SiC, TaC, carbon pyrolytic, carbon-glointeach, msaa., agus is urrainn dhaibh diofar phàirtean gnàthaichte a thoirt seachad airson gnìomhachas leth-chonnsachaidh agus photovoltaic. Tha an sgioba theicnigeach againn a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, agus is urrainn dhaibh fuasglaidhean stuthan nas proifeiseanta a thoirt dhut.

Bidh sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad, agus tha sinn air teicneòlas peutant sònraichte obrachadh a-mach, a dh’ fhaodas an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teinne agus nas lugha de chothrom ann gun tèid e às a chèile.

Ffeartan ar bathar:

1. Frith-aghaidh ocsaideachaidh teòthachd àrd suas gu 1700℃.
2. Glanachd àrd agusaonfhoirmeachd teirmeach
3. Frith-aghaidh creimeadh sàr-mhath: searbhag, alcalan, salann agus ath-bheachdan organach.
4. Cruas àrd, uachdar dlùth, mìrean mìne.
5. Beatha seirbheis nas fhaide agus nas seasmhaiche

CVD SiC薄膜基本物理性能 Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdach
性质 / Seilbh	典型数值 / Luach Àbhaisteach
晶体结构 / Structar criostail	Ìre β FCC多晶,主要为（111）
Seadh / Dlùths	3.21 g/cm³
硬度 / Cruas	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Meud Gràin	2 ~ 10μm
纯度 Purrachd Cheimigeach	99.99995%
adh Comas Teas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 Teòthachd Sublimation	2700℃
抗弯强度 Neart Lùbadh	415 MPa RT 4-puing
杨氏模量 Modúl Young	Lùb 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / ThermalSeoltachd	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 Leudachadh Teirmeach (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1